Продукція > NEXPERIA > BC856B/DG/B4R
BC856B/DG/B4R

BC856B/DG/B4R Nexperia


bc856_bc857_bc858.pdf Виробник: Nexperia
Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 250mW 3-Pin SOT-23
на замовлення 21900 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
455+1.33 грн
Мінімальне замовлення: 455
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BC856B/DG/B4R Nexperia

Description: TRANS PNP 65V 0.1A TO236AB, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: PNP, Operating Temperature: 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA, Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 125 @ 2mA, 5V, Frequency - Transition: 100MHz, Supplier Device Package: TO-236AB, Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 65 V, Power - Max: 250 mW.

Інші пропозиції BC856B/DG/B4R за ціною від 1.47 грн до 2.4 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
BC856B/DG/B4R BC856B/DG/B4R Виробник : Nexperia bc856_bc857_bc858.pdf Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 250mW 3-Pin SOT-23
на замовлення 42000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+2.22 грн
6000+ 1.87 грн
9000+ 1.85 грн
12000+ 1.77 грн
15000+ 1.62 грн
30000+ 1.47 грн
Мінімальне замовлення: 3000
BC856B/DG/B4R BC856B/DG/B4R Виробник : Nexperia bc856_bc857_bc858.pdf Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 250mW 3-Pin SOT-23
на замовлення 42000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5068+2.4 грн
6025+ 2.02 грн
9000+ 2 грн
12000+ 1.92 грн
15000+ 1.76 грн
30000+ 1.59 грн
Мінімальне замовлення: 5068
BC856B/DG/B4R BC856B/DG/B4R Виробник : NEXPERIA 1052162243076261bc856_bc857_bc858.pdf Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 250mW Automotive 3-Pin SOT-23
на замовлення 42000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
BC856B/DG/B4R BC856B/DG/B4R Виробник : Nexperia USA Inc. BC856_BC857_BC858.pdf Description: TRANS PNP 65V 0.1A TO236AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 125 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: TO-236AB
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 65 V
Power - Max: 250 mW
товар відсутній