BC856AE6327 Infineon Technologies
Виробник: Infineon Technologies
Description: BIPOLAR GEN PURPOSE TRANSISTOR
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 125 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Supplier Device Package: PG-SOT23-3-1
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 65 V
Power - Max: 330 mW
Qualification: AEC-Q101
Description: BIPOLAR GEN PURPOSE TRANSISTOR
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 125 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Supplier Device Package: PG-SOT23-3-1
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 65 V
Power - Max: 330 mW
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 48000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
13172+ | 1.44 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BC856AE6327 Infineon Technologies
Description: BIPOLAR GEN PURPOSE TRANSISTOR, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: PNP, Operating Temperature: 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA, Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 125 @ 2mA, 5V, Frequency - Transition: 250MHz, Supplier Device Package: PG-SOT23-3-1, Grade: Automotive, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 65 V, Power - Max: 330 mW, Qualification: AEC-Q101.
Інші пропозиції BC856AE6327 за ціною від 1.44 грн до 1.98 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
BC856A-E6327 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: BIPOLAR GEN PURPOSE TRANSISTOR Packaging: Bulk Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 125 @ 2mA, 5V Frequency - Transition: 250MHz Supplier Device Package: PG-SOT23-3-1 Grade: Automotive Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 65 V Power - Max: 330 mW Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 18000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||
BC856A-E6327 | Виробник : ROCHESTER ELECTRONICS |
Description: ROCHESTER ELECTRONICS - BC856A-E6327 - BC856 - GENERAL PURPOSE TRANSISTOR tariffCode: 85412100 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: TBC hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA usEccn: TBC SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 18000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||
BC856A-E6327 |
на замовлення 8457 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||
BC856AE6327 |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||
BC856AE6327 | Виробник : ROCHESTER ELECTRONICS |
Description: ROCHESTER ELECTRONICS - BC856AE6327 - BC856 - GENERAL PURPOSE TRANSISTOR tariffCode: 85412100 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: TBC hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA usEccn: TBC SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
||||||
BC856AE6327 | Виробник : Infineon Technologies | Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 330mW Automotive 3-Pin SOT-23 T/R |
товар відсутній |
||||||
BC 856A E6327 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: TRANS PNP 65V 0.1A SOT23 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 125 @ 2mA, 5V Frequency - Transition: 250MHz Supplier Device Package: PG-SOT23 Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 65 V Power - Max: 330 mW |
товар відсутній |