Продукція > ONSEMI > BC850BLT1G
BC850BLT1G

BC850BLT1G onsemi


bc846alt1-d.pdf Виробник: onsemi
Description: TRANS NPN 45V 0.1A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Power - Max: 225 mW
на замовлення 147000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+0.97 грн
6000+ 0.88 грн
9000+ 0.75 грн
30000+ 0.65 грн
75000+ 0.62 грн
Мінімальне замовлення: 3000
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BC850BLT1G onsemi

Description: ONSEMI - BC850BLT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 45 V, 100 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, Dauer-Kollektorstrom: 100mA, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 225mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 100MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

Інші пропозиції BC850BLT1G за ціною від 0.73 грн до 9.15 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
BC850BLT1G BC850BLT1G Виробник : ON Semiconductor bc846alt1-d.pdf Trans GP BJT NPN 45V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 54326 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
9147+1.32 грн
12000+ 1.01 грн
12397+ 0.97 грн
12932+ 0.9 грн
15000+ 0.8 грн
30000+ 0.73 грн
Мінімальне замовлення: 9147
BC850BLT1G BC850BLT1G Виробник : ONSEMI 1841985.pdf Description: ONSEMI - BC850BLT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 45 V, 100 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 5525 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
500+2.56 грн
Мінімальне замовлення: 500
BC850BLT1G BC850BLT1G Виробник : ON Semiconductor bc846alt1-d.pdf Trans GP BJT NPN 45V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 54326 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
94+6.38 грн
168+ 3.58 грн
169+ 3.55 грн
395+ 1.46 грн
400+ 1.34 грн
500+ 1.05 грн
1000+ 0.8 грн
3000+ 0.78 грн
6000+ 0.74 грн
Мінімальне замовлення: 94
BC850BLT1G BC850BLT1G Виробник : onsemi bc846alt1-d.pdf Description: TRANS NPN 45V 0.1A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Power - Max: 225 mW
на замовлення 153160 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
45+6.78 грн
77+ 3.77 грн
141+ 2.06 грн
500+ 1.52 грн
1000+ 1.06 грн
Мінімальне замовлення: 45
BC850BLT1G BC850BLT1G Виробник : ONSEMI BC846ALT1G.PDF Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 45V; 0.1A; 0.225W; SOT23
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 45V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.225W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
на замовлення 3199 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
56+7.04 грн
85+ 4.28 грн
164+ 2.22 грн
500+ 1.49 грн
831+ 1.02 грн
2285+ 0.97 грн
Мінімальне замовлення: 56
BC850BLT1G BC850BLT1G Виробник : onsemi BC846ALT1_D-2310268.pdf Bipolar Transistors - BJT 100mA 50V NPN
на замовлення 34050 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
44+7.56 грн
77+ 4.17 грн
182+ 1.53 грн
1000+ 1.12 грн
3000+ 0.84 грн
9000+ 0.77 грн
Мінімальне замовлення: 44
BC850BLT1G BC850BLT1G Виробник : ONSEMI BC846ALT1G.PDF Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 45V; 0.1A; 0.225W; SOT23
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 45V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.225W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3199 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
34+8.44 грн
51+ 5.34 грн
100+ 2.67 грн
500+ 1.79 грн
831+ 1.23 грн
2285+ 1.17 грн
Мінімальне замовлення: 34
BC850BLT1G BC850BLT1G Виробник : ONSEMI 2237008.pdf Description: ONSEMI - BC850BLT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 45 V, 100 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 5525 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
86+9.15 грн
133+ 5.9 грн
279+ 2.81 грн
500+ 2.56 грн
Мінімальне замовлення: 86
BC850BLT1G Виробник : ON-Semicoductor bc846alt1-d.pdf NPN 100mA 45V 225mW 100MHz BC850B, BC850, BC850BLT1, BC850BE6327HTSA1 BC850BLT1 smd ONS TBC850blt1
кількість в упаковці: 3000 шт
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+0.77 грн
Мінімальне замовлення: 3000
BC850BLT1G Виробник : ON-Semicoductor bc846alt1-d.pdf NPN 100mA 45V 225mW 100MHz BC850B, BC850, BC850BLT1, BC850BE6327HTSA1 BC850BLT1 smd ONS TBC850blt1
кількість в упаковці: 3000 шт
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+0.77 грн
Мінімальне замовлення: 3000
BC850BLT1G Виробник : ON-Semicoductor bc846alt1-d.pdf NPN 100mA 45V 225mW 100MHz BC850B, BC850, BC850BLT1, BC850BE6327HTSA1 BC850BLT1 smd ONS TBC850blt1
кількість в упаковці: 3000 шт
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+0.77 грн
Мінімальне замовлення: 3000
BC850BLT1G Виробник : ON-Semicoductor bc846alt1-d.pdf NPN 100mA 45V 225mW 100MHz BC850B, BC850, BC850BLT1, BC850BE6327HTSA1 BC850BLT1 smd ONS TBC850blt1
кількість в упаковці: 3000 шт
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+0.77 грн
Мінімальне замовлення: 3000
BC850BLT1G BC850BLT1G Виробник : ON Semiconductor bc846alt1-d.pdf Trans GP BJT NPN 45V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
товар відсутній
BC850BLT1G BC850BLT1G Виробник : ON Semiconductor bc846alt1-d.pdf Trans GP BJT NPN 45V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
товар відсутній
BC850BLT1G BC850BLT1G Виробник : ON Semiconductor bc846alt1-d.pdf Trans GP BJT NPN 45V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
товар відсутній
BC850BLT1G BC850BLT1G Виробник : ON Semiconductor bc846alt1-d.pdf Trans GP BJT NPN 45V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
товар відсутній
BC850BLT1G
Код товару: 191751
bc846alt1-d.pdf Транзистори > Біполярні NPN
товар відсутній