![BC849CWE6327 BC849CWE6327](https://mm.digikey.com/Volume0/opasdata/d220001/medias/images/4126/MFG_BAT54W135.jpg)
BC849CWE6327 Infineon Technologies
![INFNS14907-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw](/images/adobe-acrobat.png)
Description: TRANS NPN 30V 0.1A SOT323-3
Packaging: Bulk
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 420 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Supplier Device Package: PG-SOT323-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 250 mW
на замовлення 18997 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
18997+ | 1.39 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BC849CWE6327 Infineon Technologies
Description: TRANS NPN 30V 0.1A SOT323-3, Packaging: Bulk, Package / Case: SC-70, SOT-323, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA, Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 420 @ 2mA, 5V, Frequency - Transition: 250MHz, Supplier Device Package: PG-SOT323-3, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V, Power - Max: 250 mW.
Інші пропозиції BC849CWE6327
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
---|---|---|---|---|---|
![]() |
BC849CWE6327 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
товар відсутній |