![BC847CMB,315 BC847CMB,315](https://mm.digikey.com/Volume0/opasdata/d220001/medias/images/1231/3-XQFN.jpg)
BC847CMB,315 Nexperia USA Inc.
![BC847XMB_SER.pdf](/images/adobe-acrobat.png)
Description: TRANS NPN 45V 0.1A DFN1006B-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 420 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: DFN1006B-3
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Power - Max: 250 mW
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 8944 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
20+ | 15.79 грн |
28+ | 10.72 грн |
100+ | 5.23 грн |
500+ | 4.09 грн |
1000+ | 2.84 грн |
2000+ | 2.46 грн |
5000+ | 2.25 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BC847CMB,315 Nexperia USA Inc.
Description: NEXPERIA - BC847CMB,315 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 45 V, 100 mA, 250 mW, SOT-883B, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 420hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Dauer-Kollektorstrom: 100mA, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 250mW, Bauform - Transistor: SOT-883B, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: -MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).
Інші пропозиції BC847CMB,315 за ціною від 1.53 грн до 20.04 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
BC847CMB,315 | Виробник : Nexperia |
![]() |
на замовлення 17799 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
BC847CMB,315 | Виробник : NEXPERIA |
![]() tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 420hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 100mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 250mW Bauform - Transistor: SOT-883B Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: -MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 8127 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
BC847CMB,315 | Виробник : NEXPERIA |
![]() |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
![]() |
BC847CMB,315 | Виробник : Nexperia |
![]() |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
BC847CMB,315 | Виробник : NEXPERIA |
![]() Description: Transistor: NPN; bipolar; 45V; 0.1A; 250mW; DFN1006B-3,SOT883B Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 45V Collector current: 0.1A Power dissipation: 0.25W Case: DFN1006B-3; SOT883B Pulsed collector current: 0.2A Current gain: 420...800 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 100MHz кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
![]() |
BC847CMB,315 | Виробник : Nexperia USA Inc. |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 3-XFDFN Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 420 @ 2mA, 5V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: DFN1006B-3 Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V Power - Max: 250 mW Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
BC847CMB,315 | Виробник : NEXPERIA |
![]() Description: Transistor: NPN; bipolar; 45V; 0.1A; 250mW; DFN1006B-3,SOT883B Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 45V Collector current: 0.1A Power dissipation: 0.25W Case: DFN1006B-3; SOT883B Pulsed collector current: 0.2A Current gain: 420...800 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 100MHz |
товар відсутній |