на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
4000+ | 4.54 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BC847BVN,115 Nexperia
Description: NEXPERIA - BC847BVN,115 - Bipolares Transistor-Array, Universal, Komplementär NPN und PNP, 45 V, 45 V, 100 mA, 100 mA, 200 mW, tariffCode: 85412100, DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 200hFE, Transistormontage: Oberflächenmontage, Übergangsfrequenz, NPN: 100MHz, rohsCompliant: YES, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Verlustleistung, PNP: 200mW, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 100mA, Übergangsfrequenz, PNP: 100MHz, Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 45V, DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 200hFE, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SOT-666, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, Verlustleistung, NPN: 200mW, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: Komplementär NPN und PNP, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 45V, Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 100mA, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Інші пропозиції BC847BVN,115 за ціною від 3.87 грн до 29.51 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
BC847BVN,115 | Виробник : NEXPERIA | Trans GP BJT NPN/PNP 45V 0.1A 300mW Automotive 6-Pin SOT-666 T/R |
на замовлення 49998 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
BC847BVN,115 | Виробник : Nexperia | Trans GP BJT NPN/PNP 45V 0.1A 300mW 6-Pin SOT-666 T/R |
на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
BC847BVN,115 | Виробник : Nexperia | Trans GP BJT NPN/PNP 45V 0.1A 300mW 6-Pin SOT-666 T/R |
на замовлення 48000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
BC847BVN,115 | Виробник : Nexperia | Trans GP BJT NPN/PNP 45V 0.1A 300mW 6-Pin SOT-666 T/R |
на замовлення 20000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
BC847BVN,115 | Виробник : Nexperia | Trans GP BJT NPN/PNP 45V 0.1A 300mW 6-Pin SOT-666 T/R |
на замовлення 48000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
BC847BVN,115 | Виробник : Nexperia USA Inc. |
Description: TRANS NPN/PNP 45V 0.1A SOT666 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-563, SOT-666 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Power - Max: 300mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: SOT-666 Part Status: Not For New Designs |
на замовлення 28000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
BC847BVN,115 | Виробник : Nexperia | Trans GP BJT NPN/PNP 45V 0.1A 300mW 6-Pin SOT-666 T/R |
на замовлення 16000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
BC847BVN,115 | Виробник : Nexperia | Trans GP BJT NPN/PNP 45V 0.1A 300mW 6-Pin SOT-666 T/R |
на замовлення 11163 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
BC847BVN,115 | Виробник : Nexperia | Trans GP BJT NPN/PNP 45V 0.1A 300mW 6-Pin SOT-666 T/R |
на замовлення 52000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
BC847BVN,115 | Виробник : Nexperia | Trans GP BJT NPN/PNP 45V 0.1A 300mW 6-Pin SOT-666 T/R |
на замовлення 1998 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
BC847BVN,115 | Виробник : Nexperia | Trans GP BJT NPN/PNP 45V 0.1A 300mW 6-Pin SOT-666 T/R |
на замовлення 11163 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
BC847BVN,115 | Виробник : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - BC847BVN,115 - Bipolares Transistor-Array, Universal, Komplementär NPN und PNP, 45 V, 45 V, 100 mA, 100 mA, 200 mW tariffCode: 85412100 DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 200hFE Transistormontage: Oberflächenmontage Übergangsfrequenz, NPN: 100MHz rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Verlustleistung, PNP: 200mW MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 100mA Übergangsfrequenz, PNP: 100MHz Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 45V DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 200hFE euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOT-666 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Verlustleistung, NPN: 200mW productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Komplementär NPN und PNP Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 45V Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 100mA SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 7720 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
BC847BVN,115 | Виробник : NEXPERIA |
Category: Complementary transistors Description: Transistor: NPN / PNP; bipolar; complementary pair; 45V; 0.1A Type of transistor: NPN / PNP Polarisation: bipolar Kind of transistor: complementary pair Collector-emitter voltage: 45V Collector current: 0.1A Power dissipation: 0.3W Case: SOT666 Pulsed collector current: 0.2A Current gain: 200...450 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 100MHz |
на замовлення 3820 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
BC847BVN,115 | Виробник : NEXPERIA |
Category: Complementary transistors Description: Transistor: NPN / PNP; bipolar; complementary pair; 45V; 0.1A Type of transistor: NPN / PNP Polarisation: bipolar Kind of transistor: complementary pair Collector-emitter voltage: 45V Collector current: 0.1A Power dissipation: 0.3W Case: SOT666 Pulsed collector current: 0.2A Current gain: 200...450 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 100MHz кількість в упаковці: 5 шт |
на замовлення 3820 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
BC847BVN,115 | Виробник : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - BC847BVN,115 - Bipolares Transistor-Array, Universal, Komplementär NPN und PNP, 45 V, 45 V, 100 mA, 100 mA, 200 mW tariffCode: 85412100 DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 200hFE Transistormontage: Oberflächenmontage Übergangsfrequenz, NPN: 100MHz rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Verlustleistung, PNP: 200mW MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 100mA Übergangsfrequenz, PNP: 100MHz Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 45V DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 200hFE euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOT-666 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Verlustleistung, NPN: 200mW productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Komplementär NPN und PNP Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 45V Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 100mA SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 7720 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
BC847BVN,115 | Виробник : Nexperia USA Inc. |
Description: TRANS NPN/PNP 45V 0.1A SOT666 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-563, SOT-666 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Power - Max: 300mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: SOT-666 Part Status: Not For New Designs |
на замовлення 29605 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
BC847BVN,115 | Виробник : Nexperia | Bipolar Transistors - BJT NRND for Automotive Applications BC847BVN/SOT666/SOT6 |
на замовлення 74351 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
BC847BVN,115 | Виробник : NXP Semiconductors | NPN, Uкэ=45V, Iк=0.1A, h21=200...400, 0.2Вт, 100МГц, SOT-666 |
на замовлення 4 шт: термін постачання 5 дні (днів) |
||||||||||||||||||
BC847BVN,115 | Виробник : Nexperia | Trans GP BJT NPN/PNP 45V 0.1A 300mW 6-Pin SOT-666 T/R |
товар відсутній |