Продукція > ONSEMI > BC847BPDW1T2G
BC847BPDW1T2G

BC847BPDW1T2G onsemi

bc846bpdw1t1-d.pdf Виробник: onsemi
Description: TRANS NPN/PNP 45V 0.1A SOT363
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 380mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA / 650mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Part Status: Active
на замовлення 45000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+2.53 грн
6000+ 2.26 грн
9000+ 1.88 грн
30000+ 1.73 грн
Мінімальне замовлення: 3000
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BC847BPDW1T2G onsemi

Description: ONSEMI - BC847BPDW1T2G - Bipolares Transistor-Array, Komplementär NPN und PNP, 45 V, 45 V, 100 mA, 100 mA, 380 mW, tariffCode: 85412100, DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 200hFE, Transistormontage: Oberflächenmontage, Übergangsfrequenz, NPN: 100MHz, rohsCompliant: YES, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Verlustleistung, PNP: 380mW, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 100mA, Übergangsfrequenz, PNP: 100MHz, Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 45V, DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 200hFE, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SOT-363, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, Verlustleistung, NPN: 380mW, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: Komplementär NPN und PNP, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 45V, Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 100mA, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

Інші пропозиції BC847BPDW1T2G за ціною від 1.45 грн до 16.53 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
BC847BPDW1T2G BC847BPDW1T2G Виробник : ON Semiconductor bc846bpdw1t1-d.pdf Trans GP BJT NPN/PNP 45V 0.1A 380mW 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 15980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
203+2.95 грн
3000+ 2.31 грн
6000+ 1.96 грн
12000+ 1.45 грн
Мінімальне замовлення: 203
BC847BPDW1T2G BC847BPDW1T2G Виробник : ON Semiconductor bc846bpdw1t1-d.pdf Trans GP BJT NPN/PNP 45V 0.1A 380mW 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 15980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3798+3.17 грн
4839+ 2.49 грн
6000+ 2.11 грн
12000+ 1.57 грн
Мінімальне замовлення: 3798
BC847BPDW1T2G BC847BPDW1T2G Виробник : ONSEMI 2140520.pdf Description: ONSEMI - BC847BPDW1T2G - Bipolares Transistor-Array, Komplementär NPN und PNP, 45 V, 45 V, 100 mA, 100 mA, 380 mW
tariffCode: 85412100
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 200hFE
Transistormontage: Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz, NPN: 100MHz
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Verlustleistung, PNP: 380mW
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 100mA
Übergangsfrequenz, PNP: 100MHz
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 45V
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 200hFE
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Verlustleistung, NPN: 380mW
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Komplementär NPN und PNP
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 45V
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 100mA
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 29735 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
500+4.48 грн
Мінімальне замовлення: 500
BC847BPDW1T2G BC847BPDW1T2G Виробник : ONSEMI bc846bpdw1t1-d.pdf Category: Complementary transistors
Description: Transistor: NPN / PNP; bipolar; complementary pair; 45V; 0.1A
Type of transistor: NPN / PNP
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: complementary pair
Collector-emitter voltage: 45V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.38W
Case: SC70-6; SC88; SOT363
Current gain: 150...475
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 100MHz
на замовлення 2860 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
32+12.48 грн
50+ 7.39 грн
100+ 4.03 грн
337+ 2.49 грн
926+ 2.35 грн
Мінімальне замовлення: 32
BC847BPDW1T2G BC847BPDW1T2G Виробник : onsemi BC846BPDW1T1_D-2310186.pdf Bipolar Transistors - BJT 45V 100mA DUAL
на замовлення 14970 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
23+14.36 грн
36+ 9.11 грн
100+ 3.82 грн
1000+ 2.71 грн
3000+ 2.16 грн
9000+ 1.81 грн
24000+ 1.67 грн
Мінімальне замовлення: 23
BC847BPDW1T2G BC847BPDW1T2G Виробник : ONSEMI bc846bpdw1t1-d.pdf Category: Complementary transistors
Description: Transistor: NPN / PNP; bipolar; complementary pair; 45V; 0.1A
Type of transistor: NPN / PNP
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: complementary pair
Collector-emitter voltage: 45V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.38W
Case: SC70-6; SC88; SOT363
Current gain: 150...475
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 100MHz
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2860 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
19+14.97 грн
30+ 9.2 грн
100+ 4.83 грн
337+ 2.99 грн
926+ 2.82 грн
3000+ 2.75 грн
Мінімальне замовлення: 19
BC847BPDW1T2G BC847BPDW1T2G Виробник : onsemi bc846bpdw1t1-d.pdf Description: TRANS NPN/PNP 45V 0.1A SOT363
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 380mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA / 650mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Part Status: Active
на замовлення 48965 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
20+15.04 грн
30+ 9.92 грн
100+ 4.86 грн
500+ 3.8 грн
1000+ 2.64 грн
Мінімальне замовлення: 20
BC847BPDW1T2G BC847BPDW1T2G Виробник : ONSEMI 2140520.pdf Description: ONSEMI - BC847BPDW1T2G - Bipolares Transistor-Array, Komplementär NPN und PNP, 45 V, 45 V, 100 mA, 100 mA, 380 mW
tariffCode: 85412100
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 200hFE
Transistormontage: Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz, NPN: 100MHz
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Verlustleistung, PNP: 380mW
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 100mA
Übergangsfrequenz, PNP: 100MHz
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 45V
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 200hFE
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Verlustleistung, NPN: 380mW
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Komplementär NPN und PNP
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 45V
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 100mA
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 29735 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
48+16.53 грн
72+ 10.84 грн
159+ 4.92 грн
500+ 4.48 грн
Мінімальне замовлення: 48
BC847BPDW1T2G Виробник : ON Semiconductor bc846bpdw1t1-d.pdf
на замовлення 1577 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
BC847BPDW1T2G BC847BPDW1T2G Виробник : ON Semiconductor bc846bpdw1t1-d.pdf Trans GP BJT NPN/PNP 45V 0.1A 380mW 6-Pin SC-88 T/R
товар відсутній
BC847BPDW1T2G BC847BPDW1T2G Виробник : ON Semiconductor bc846bpdw1t1-d.pdf Trans GP BJT NPN/PNP 45V 0.1A 380mW 6-Pin SC-88 T/R
товар відсутній
BC847BPDW1T2G BC847BPDW1T2G Виробник : ON Semiconductor bc846bpdw1t1-d.pdf Trans GP BJT NPN/PNP 45V 0.1A 380mW 6-Pin SC-88 T/R
товар відсутній
BC847BPDW1T2G BC847BPDW1T2G Виробник : ON Semiconductor bc846bpdw1t1-d.pdf Trans GP BJT NPN/PNP 45V 0.1A 380mW 6-Pin SC-88 T/R
товар відсутній