BC847BLT1G ON Semiconductor
на замовлення 347899 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
3000+ | 0.70 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BC847BLT1G ON Semiconductor
Description: ONSEMI - BC847BLT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 45 V, 100 mA, 300 mW, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, Dauer-Kollektorstrom: 100mA, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 300mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 100MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Інші пропозиції BC847BLT1G за ціною від 0.46 грн до 16.86 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
BC847BLT1G | Виробник : ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 45V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 21000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
BC847BLT1G | Виробник : ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 45V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 21000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
BC847BLT1G | Виробник : ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 45V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 2100000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
BC847BLT1G | Виробник : ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 45V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 561000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
BC847BLT1G | Виробник : ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 45V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 18000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
BC847BLT1G | Виробник : ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 45V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 60000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
BC847BLT1G | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - BC847BLT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 45 V, 100 mA, 300 mW, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Dauer-Kollektorstrom: 100mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 300mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 100MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 81000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
BC847BLT1G | Виробник : ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 45V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 561000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
BC847BLT1G | Виробник : ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 45V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 18000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
BC847BLT1G | Виробник : onsemi |
Description: TRANS NPN 45V 0.1A SOT23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V Power - Max: 300 mW |
на замовлення 58055 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
BC847BLT1G | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - BC847BLT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 45 V, 100 mA, 300 mW, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 450hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 100mA MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 300mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 100MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 46062 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
BC847BLT1G | Виробник : ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 45V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 941000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
BC847BLT1G | Виробник : ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 45V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 527950 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
BC847BLT1G | Виробник : ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 45V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 20354669 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
BC847BLT1G | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - BC847BLT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 45 V, 100 mA, 300 mW, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 450hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 100mA MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 300mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 100MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 46062 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
BC847BLT1G | Виробник : ONSEMI |
Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 50V; 0.1A; 0.225W; SOT23 Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 50V Collector current: 0.1A Power dissipation: 0.225W Case: SOT23 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape |
на замовлення 8799 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
BC847BLT1G Код товару: 67191 |
Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 2 |
товару немає в наявності
|
|||||||||||||||||||||
BC847BLT1G | Виробник : onsemi | Bipolar Transistors - BJT 100mA 50V NPN |
на замовлення 42656 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
BC847BLT1G | Виробник : ONSEMI |
Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 50V; 0.1A; 0.225W; SOT23 Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 50V Collector current: 0.1A Power dissipation: 0.225W Case: SOT23 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 8799 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
BC847BLT1G | Виробник : onsemi |
Description: TRANS NPN 45V 0.1A SOT23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V Power - Max: 300 mW |
на замовлення 59533 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
BC847BLT1G | Виробник : ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 45V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 31 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
||||||||||||||||||||
BC847BLT1G | Виробник : ON-Semicoductor |
NPN 100mA 45V 225mW BC847BLT3G BC847BLT1 TBC847blt1 кількість в упаковці: 500 шт |
на замовлення 558 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
BC847BLT1G | Виробник : ON-Semicoductor |
NPN 100mA 45V 225mW BC847BLT3G BC847BLT1 TBC847blt1 кількість в упаковці: 500 шт |
на замовлення 1992 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
BC847BLT1G | Виробник : ON-Semicoductor |
NPN 100mA 45V 225mW BC847BLT3G BC847BLT1 TBC847blt1 кількість в упаковці: 500 шт |
на замовлення 9000 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
BC847BLT1G | Виробник : ON Semiconductor | Транзистор NPN; Ptot, Вт = 0,3; Uceo, В = 45; Ic = 100 мА; Тип монт. = smd; ft, МГц = 100; hFE = 200 @ 2 мA, 5 В; Icutoff-max = 15 нА; Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0,6 @ 5 мA, 100 мA; Тексп, °С = -55...+150; SOT-23-3 |
на замовлення 37 шт: термін постачання 3-4 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
BC847BLT1G | Виробник : Diodes Incorporated | Bipolar Transistors - BJT |
товару немає в наявності |