![BC847BDW1T1G BC847BDW1T1G](https://download.siliconexpert.com/pdfs/2017/5/11/9/10/6/437/ons_/manual/sc6.jpg)
BC847BDW1T1G ON Semiconductor
на замовлення 1056000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3000+ | 1.4 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BC847BDW1T1G ON Semiconductor
Description: ONSEMI - BC847BDW1T1G - Bipolares Transistor-Array, Universal, Zweifach npn, 45 V, 100 mA, 380 mW, tariffCode: 85412100, DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 450hFE, Transistormontage: Oberflächenmontage, Übergangsfrequenz, NPN: 100MHz, rohsCompliant: YES, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Verlustleistung, PNP: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: -, Übergangsfrequenz, PNP: -, Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 45V, DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: -, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SOT-363, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: BCxxx Series, Verlustleistung, NPN: 380mW, productTraceability: No, Wandlerpolarität: Zweifach npn, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -, Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 100mA, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Інші пропозиції BC847BDW1T1G за ціною від 1.34 грн до 17.94 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
BC847BDW1T1G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 30000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
BC847BDW1T1G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 1056000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
BC847BDW1T1G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 30000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
BC847BDW1T1G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 117000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
BC847BDW1T1G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 1056000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
BC847BDW1T1G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 366000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
BC847BDW1T1G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 177000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
BC847BDW1T1G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 24000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
BC847BDW1T1G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 366000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
BC847BDW1T1G | Виробник : onsemi |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 2 NPN (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Power - Max: 380mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363 Part Status: Active |
на замовлення 150000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
BC847BDW1T1G | Виробник : ONSEMI |
![]() tariffCode: 85412100 DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 450hFE Transistormontage: Oberflächenmontage Übergangsfrequenz, NPN: 100MHz rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Verlustleistung, PNP: - MSL: - usEccn: EAR99 Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: - Übergangsfrequenz, PNP: - Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 45V DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: - euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOT-363 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: BCxxx Series Verlustleistung, NPN: 380mW productTraceability: No Wandlerpolarität: Zweifach npn Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: - Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 100mA SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 36043 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
BC847BDW1T1G | Виробник : onsemi |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 2 NPN (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Power - Max: 380mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363 Part Status: Active |
на замовлення 151349 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
BC847BDW1T1G | Виробник : ONSEMI |
![]() Description: Transistor: NPN x2; bipolar; 45V; 0.1A; 0.38W; SC70-6,SC88,SOT363 Type of transistor: NPN x2 Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 45V Collector current: 0.1A Power dissipation: 0.38W Case: SC70-6; SC88; SOT363 Current gain: 150...450 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 100MHz |
на замовлення 4033 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
BC847BDW1T1G | Виробник : onsemi |
![]() |
на замовлення 84993 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
BC847BDW1T1G | Виробник : ONSEMI |
![]() Description: Transistor: NPN x2; bipolar; 45V; 0.1A; 0.38W; SC70-6,SC88,SOT363 Type of transistor: NPN x2 Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 45V Collector current: 0.1A Power dissipation: 0.38W Case: SC70-6; SC88; SOT363 Current gain: 150...450 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 100MHz кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 4033 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
BC847BDW1T1G | Виробник : ONSEMI |
![]() tariffCode: 85412100 DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 450hFE Transistormontage: Oberflächenmontage Übergangsfrequenz, NPN: 100MHz rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Verlustleistung, PNP: - MSL: - usEccn: EAR99 Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: - Übergangsfrequenz, PNP: - Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 45V DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: - euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOT-363 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: BCxxx Series Verlustleistung, NPN: 380mW productTraceability: No Wandlerpolarität: Zweifach npn Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: - Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 100mA SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 36043 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
BC847BDW1T1G | Виробник : ON-Semicoductor |
![]() кількість в упаковці: 100 шт |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
BC847BDW1T1G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 41 шт: термін постачання 3-4 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
![]() |
BC847BDW1T1G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
товар відсутній |
|||||||||||||||||||
BC847BDW1T1G (транзистор біполярный NPN) Код товару: 31927 |
Транзистори > Біполярні NPN |
товар відсутній
|