BC847AWT1G

BC847AWT1G ON Semiconductor


bc846awt1-d.pdf Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 45V 0.1A 200mW 3-Pin SC-70 T/R
на замовлення 27000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+1.31 грн
Мінімальне замовлення: 3000
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BC847AWT1G ON Semiconductor

Description: ONSEMI - BC847AWT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 45 V, 100 mA, 200 mW, SOT-323, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 110hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, Dauer-Kollektorstrom: 100mA, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 200mW, Bauform - Transistor: SOT-323, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V, productTraceability: No, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 100MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

Інші пропозиції BC847AWT1G за ціною від 1.14 грн до 15.09 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
BC847AWT1G BC847AWT1G Виробник : ON Semiconductor bc846awt1-d.pdf Trans GP BJT NPN 45V 0.1A 200mW 3-Pin SC-70 T/R
на замовлення 27000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+1.32 грн
6000+ 1.3 грн
9000+ 1.29 грн
24000+ 1.23 грн
Мінімальне замовлення: 3000
BC847AWT1G BC847AWT1G Виробник : ON Semiconductor bc846awt1-d.pdf Trans GP BJT NPN 45V 0.1A 200mW 3-Pin SC-70 T/R
на замовлення 27000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
8572+1.41 грн
8671+ 1.39 грн
9000+ 1.38 грн
24000+ 1.31 грн
Мінімальне замовлення: 8572
BC847AWT1G BC847AWT1G Виробник : ON Semiconductor bc846awt1-d.pdf Trans GP BJT NPN 45V 0.1A 200mW 3-Pin SC-70 T/R
на замовлення 19074 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
8572+1.41 грн
Мінімальне замовлення: 8572
BC847AWT1G BC847AWT1G Виробник : onsemi bc846awt1-d.pdf Description: TRANS NPN 45V 0.1A SC70-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 110 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SC-70-3 (SOT323)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Power - Max: 150 mW
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+1.7 грн
6000+ 1.55 грн
9000+ 1.32 грн
30000+ 1.14 грн
Мінімальне замовлення: 3000
BC847AWT1G BC847AWT1G Виробник : ONSEMI bc846awt1-d.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 45V; 0.1A; 0.2W; SC70,SOT323
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 45V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.2W
Case: SC70; SOT323
Current gain: 110...220
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 100MHz
на замовлення 120 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
120+2.9 грн
Мінімальне замовлення: 120
BC847AWT1G BC847AWT1G Виробник : ONSEMI ONSM-S-A0013684657-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - BC847AWT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 45 V, 100 mA, 200 mW, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 110hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 12328 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
500+3.69 грн
Мінімальне замовлення: 500
BC847AWT1G BC847AWT1G Виробник : ONSEMI bc846awt1-d.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 45V; 0.1A; 0.2W; SC70,SOT323
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 45V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.2W
Case: SC70; SOT323
Current gain: 110...220
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 100MHz
кількість в упаковці: 20 шт
на замовлення 120 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
80+3.75 грн
100+ 2.84 грн
460+ 2.26 грн
1260+ 2.14 грн
12000+ 2.06 грн
Мінімальне замовлення: 80
BC847AWT1G BC847AWT1G Виробник : ON Semiconductor bc846awt1-d.pdf Trans GP BJT NPN 45V 0.1A 200mW 3-Pin SC-70 T/R
на замовлення 19074 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
69+8.68 грн
141+ 4.26 грн
142+ 4.23 грн
193+ 3 грн
250+ 2.75 грн
500+ 2.44 грн
1000+ 2.18 грн
3000+ 1.18 грн
6000+ 1.17 грн
Мінімальне замовлення: 69
BC847AWT1G BC847AWT1G Виробник : onsemi BC846AWT1_D-2310458.pdf Bipolar Transistors - BJT 100mA 50V NPN
на замовлення 23904 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
24+13.58 грн
35+ 9.3 грн
100+ 3.28 грн
1000+ 2.3 грн
3000+ 1.39 грн
9000+ 1.25 грн
24000+ 1.18 грн
Мінімальне замовлення: 24
BC847AWT1G BC847AWT1G Виробник : onsemi bc846awt1-d.pdf Description: TRANS NPN 45V 0.1A SC70-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 110 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SC-70-3 (SOT323)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Power - Max: 150 mW
на замовлення 35916 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
22+14.32 грн
31+ 9.51 грн
100+ 5.15 грн
500+ 3.8 грн
1000+ 2.64 грн
Мінімальне замовлення: 22
BC847AWT1G BC847AWT1G Виробник : ONSEMI ONSM-S-A0013684657-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - BC847AWT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 45 V, 100 mA, 200 mW, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 110hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 12328 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
52+15.09 грн
78+ 10.09 грн
194+ 4.05 грн
500+ 3.69 грн
Мінімальне замовлення: 52
BC847AWT1G Виробник : ONSEMI ONSM-S-A0000772277-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: ONSEMI - BC847AWT1G - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
15000+1.72 грн
Мінімальне замовлення: 15000
BC847AWT1G BC847AWT1G Виробник : ON Semiconductor bc846awt1-d.pdf Trans GP BJT NPN 45V 0.1A 200mW 3-Pin SC-70 T/R
товар відсутній