на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 10000+ | 1.66 грн |
| 30000+ | 1.65 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BC847AMB,315 Nexperia
Description: NEXPERIA - BC847AMB,315 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 45 V, 100 mA, 250 mW, SOT-883B, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 110hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Dauer-Kollektorstrom: 100mA, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 250mW, Bauform - Transistor: SOT-883B, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V, productTraceability: No, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: -, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Інші пропозиції BC847AMB,315 за ціною від 1.74 грн до 18.13 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
BC847AMB,315 | Виробник : Nexperia |
 Trans GP BJT NPN 45V 0.1A 250mW 3-Pin DFN-B T/R |
на замовлення 30000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
BC847AMB,315 | Виробник : Nexperia |
Trans GP BJT NPN 45V 0.1A 250mW 3-Pin DFN-B T/R |
на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
BC847AMB,315 | Виробник : NEXPERIA |
Trans GP BJT NPN 45V 0.1A 250mW Automotive 3-Pin DFN-B T/R |
на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
BC847AMB,315 | Виробник : Nexperia |
Trans GP BJT NPN 45V 0.1A 250mW 3-Pin DFN-B T/R |
на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
BC847AMB,315 | Виробник : Nexperia USA Inc. |
Description: TRANS NPN 45V 0.1A DFN1006B-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 3-XFDFN Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 110 @ 2mA, 5V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: DFN1006B-3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V Power - Max: 250 mW Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
BC847AMB,315 | Виробник : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - BC847AMB,315 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 45 V, 100 mA, 250 mW, SOT-883B, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 110hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 100mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 250mW Bauform - Transistor: SOT-883B Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V productTraceability: No Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: - Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 6819 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
BC847AMB,315 | Виробник : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - BC847AMB,315 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 45 V, 100 mA, 250 mW, SOT-883B, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 110hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 100mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 250mW Bauform - Transistor: SOT-883B Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V productTraceability: No Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: - Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 6819 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
BC847AMB,315 | Виробник : Nexperia USA Inc. |
Description: TRANS NPN 45V 0.1A DFN1006B-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 3-XFDFN Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 110 @ 2mA, 5V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: DFN1006B-3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V Power - Max: 250 mW Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 20339 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
BC847AMB,315 | Виробник : Nexperia |
Bipolar Transistors - BJT BC847AMB/SOT883B/XQFN3 |
на замовлення 11100 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
BC847AMB,315 | Виробник : Nexperia |
Trans GP BJT NPN 45V 0.1A 250mW 3-Pin DFN-B T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
| BC847AMB,315 | Виробник : NEXPERIA |
Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 45V; 0.1A; 250mW; DFN1006B-3,SOT883B Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 45V Collector current: 0.1A Power dissipation: 0.25W Case: DFN1006B-3; SOT883B Pulsed collector current: 0.2A Current gain: 110...220 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 100MHz кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
| BC847AMB,315 | Виробник : NEXPERIA |
Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 45V; 0.1A; 250mW; DFN1006B-3,SOT883B Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 45V Collector current: 0.1A Power dissipation: 0.25W Case: DFN1006B-3; SOT883B Pulsed collector current: 0.2A Current gain: 110...220 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 100MHz |
товар відсутній |