BC847AE6327HTSA1 Infineon Technologies
Виробник: Infineon TechnologiesTrans GP BJT NPN 45V 0.1A 330mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 40881 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 6199+ | 1.95 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BC847AE6327HTSA1 Infineon Technologies
Description: BJT SOT23 45V NPN 0.25W 150C, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 5mA, 100mA, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 110 @ 2mA, 5V, Frequency - Transition: 100MHz, Supplier Device Package: PG-SOT23, Part Status: Last Time Buy, Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V, Power - Max: 200 mW.
Інші пропозиції BC847AE6327HTSA1 за ціною від 1.81 грн до 12.21 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
BC847AE6327HTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: BJT SOT23 45V NPN 0.25W 150C Packaging: Bulk Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 5mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 110 @ 2mA, 5V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: PG-SOT23 Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V Power - Max: 200 mW |
на замовлення 308204 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
BC847AE6327HTSA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 45V; 0.1A; 0.33W; SOT23 Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 45V Collector current: 0.1A Power dissipation: 0.33W Case: SOT23 Mounting: SMD Frequency: 250MHz |
на замовлення 1135 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
BC847AE6327HTSA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 45V; 0.1A; 0.33W; SOT23 Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 45V Collector current: 0.1A Power dissipation: 0.33W Case: SOT23 Mounting: SMD Frequency: 250MHz кількість в упаковці: 5 шт |
на замовлення 1135 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
BC847AE6327HTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans GP BJT NPN 45V 0.1A 330mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 40881 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
BC847AE6327HTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans GP BJT NPN 45V 0.1A 330mW Automotive 3-Pin SOT-23 T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||
|
|
BC847AE6327HTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: BJT SOT23 45V NPN 0.25W 150C Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 5mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 110 @ 2mA, 5V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: PG-SOT23 Part Status: Last Time Buy Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V Power - Max: 200 mW |
товар відсутній |
|||||||||||||
|
|
BC847AE6327HTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: BJT SOT23 45V NPN 0.25W 150C Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 5mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 110 @ 2mA, 5V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: PG-SOT23 Part Status: Last Time Buy Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V Power - Max: 200 mW |
товар відсутній |
|||||||||||||
 |
BC847AE6327HTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Bipolar Transistors - BJT NPN Silicon AF TRANSISTOR |
товар відсутній |