Продукція > ONSEMI > BC846BM3T5H

BC846BM3T5H ONSEMI

ONSMS37973-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - BC846BM3T5H - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 1720197 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
16000+3.74 грн
Мінімальне замовлення: 16000
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BC846BM3T5H ONSEMI

Description: GENERAL PURPOSE TRANSISTOR, Packaging: Bulk, Package / Case: SOT-723, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA, Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V, Frequency - Transition: 100MHz, Supplier Device Package: SOT-723, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 65 V, Power - Max: 265 mW.

Інші пропозиції BC846BM3T5H

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
BC846BM3T5H BC846BM3T5H Виробник : onsemi ONSMS37973-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: GENERAL PURPOSE TRANSISTOR
Packaging: Bulk
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-723
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 65 V
Power - Max: 265 mW
товар відсутній