![BC846BDW1T1G BC846BDW1T1G](https://download.siliconexpert.com/pdfs/2017/5/11/9/10/6/437/ons_/manual/sc6.jpg)
BC846BDW1T1G ON Semiconductor
на замовлення 156000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3000+ | 1.42 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BC846BDW1T1G ON Semiconductor
Description: ONSEMI - BC846BDW1T1G - Bipolares Transistor-Array, Universal, Zweifach npn, 65 V, 100 mA, 380 mW, tariffCode: 85412100, DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 200hFE, Transistormontage: Oberflächenmontage, Übergangsfrequenz, NPN: 100MHz, rohsCompliant: YES, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Verlustleistung, PNP: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: -, Übergangsfrequenz, PNP: -, Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 65V, DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: -, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SOT-363, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: BCxxx Series, Verlustleistung, NPN: 380mW, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: Zweifach npn, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -, Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 100mA, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Інші пропозиції BC846BDW1T1G за ціною від 1.35 грн до 17.98 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
BC846BDW1T1G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 36000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
BC846BDW1T1G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 189000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
BC846BDW1T1G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 156000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
BC846BDW1T1G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 36000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
BC846BDW1T1G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 168000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
BC846BDW1T1G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 171000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
BC846BDW1T1G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 156000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
BC846BDW1T1G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 399000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
BC846BDW1T1G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 2007000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
BC846BDW1T1G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 213000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
BC846BDW1T1G | Виробник : onsemi |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 2 NPN (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Power - Max: 380mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 65V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363 Part Status: Active |
на замовлення 42000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
BC846BDW1T1G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 36000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
BC846BDW1T1G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 87000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
BC846BDW1T1G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 63000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
BC846BDW1T1G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 588000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
BC846BDW1T1G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 258000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
BC846BDW1T1G | Виробник : ONSEMI |
![]() tariffCode: 85412100 DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 200hFE Transistormontage: Oberflächenmontage Übergangsfrequenz, NPN: 100MHz rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Verlustleistung, PNP: - MSL: - usEccn: EAR99 Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: - Übergangsfrequenz, PNP: - Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 65V DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: - euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOT-363 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: BCxxx Series Verlustleistung, NPN: 380mW productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Zweifach npn Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: - Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 100mA SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 76435 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
BC846BDW1T1G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 59500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
BC846BDW1T1G | Виробник : onsemi |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 2 NPN (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Power - Max: 380mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 65V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363 Part Status: Active |
на замовлення 44473 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
BC846BDW1T1G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 59500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
BC846BDW1T1G | Виробник : onsemi |
![]() |
на замовлення 321682 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
BC846BDW1T1G | Виробник : ONSEMI |
![]() tariffCode: 85412100 DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 200hFE Transistormontage: Oberflächenmontage Übergangsfrequenz, NPN: 100MHz rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Verlustleistung, PNP: - MSL: - usEccn: EAR99 Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: - Übergangsfrequenz, PNP: - Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 65V DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: - euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOT-363 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: BCxxx Series Verlustleistung, NPN: 380mW productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Zweifach npn Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: - Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 100mA SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 76435 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
BC846BDW1T1G | Виробник : onsemi |
![]() |
на замовлення 2925 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
BC846BDW1T1G Код товару: 149074 |
![]() |
товар відсутній
|
|||||||||||||||||||||
BC846BDW1T1G | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
товар відсутній |