![BC818-40LT1G BC818-40LT1G](https://static6.arrow.com/aropdfconversion/arrowimages/cdbbcd5b550f69cb57198f33704acb75e5ea1be2/sot-23.jpg)
BC818-40LT1G ON Semiconductor
на замовлення 51000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
39000+ | 1.01 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BC818-40LT1G ON Semiconductor
Description: ONSEMI - BC818-40LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 25 V, 500 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, Dauer-Kollektorstrom: 500mA, MSL: -, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 225mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 25V, productTraceability: No, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 100MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Інші пропозиції BC818-40LT1G за ціною від 1.06 грн до 13.88 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
BC818-40LT1G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 51000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
BC818-40LT1G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 51000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
BC818-40LT1G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
BC818-40LT1G | Виробник : onsemi |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 100mA, 1V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V Power - Max: 225 mW |
на замовлення 33000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
BC818-40LT1G | Виробник : ONSEMI |
![]() tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Dauer-Kollektorstrom: 500mA MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 225mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 25V productTraceability: No Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 100MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 138612 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
BC818-40LT1G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 23800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
BC818-40LT1G | Виробник : onsemi |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 100mA, 1V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V Power - Max: 225 mW |
на замовлення 35028 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
BC818-40LT1G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 2532 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
BC818-40LT1G | Виробник : onsemi |
![]() |
на замовлення 29721 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
BC818-40LT1G | Виробник : ONSEMI |
![]() tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Dauer-Kollektorstrom: 500mA MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 225mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 25V productTraceability: No Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 100MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 140689 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
BC818-40LT1G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 2532 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||
![]() |
BC818-40LT1G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||
BC818-40LT1G | Виробник : ONS |
![]() |
на замовлення 14960 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
![]() |
BC818-40LT1G | Виробник : ONSEMI |
![]() Description: Transistor: NPN; bipolar; 25V; 0.5A; 0.3W; SOT23 Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 25V Collector current: 0.5A Power dissipation: 0.3W Case: SOT23 Current gain: 250...600 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 100MHz кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
![]() |
BC818-40LT1G | Виробник : ONSEMI |
![]() Description: Transistor: NPN; bipolar; 25V; 0.5A; 0.3W; SOT23 Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 25V Collector current: 0.5A Power dissipation: 0.3W Case: SOT23 Current gain: 250...600 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 100MHz |
товар відсутній |