![BC817-40QBH-QZ BC817-40QBH-QZ](https://export.farnell.com/productimages/standard/en_GB/3617829-40.jpg)
BC817-40QBH-QZ NEXPERIA
![3679916.pdf](/images/adobe-acrobat.png)
Description: NEXPERIA - BC817-40QBH-QZ - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 45 V, 500 mA, 550 mW, DFN1110D, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 250hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 250hFE
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 500mA
MSL: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 550mW
euEccn: NLR
Verlustleistung: 550mW
Bauform - Transistor: DFN1110D
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 45V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Produktreihe BC817QBH-Q
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
DC-Kollektorstrom: 500mA
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 1900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
100+ | 10.22 грн |
500+ | 6.81 грн |
1000+ | 3.81 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BC817-40QBH-QZ NEXPERIA
Description: NEXPERIA - BC817-40QBH-QZ - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 45 V, 500 mA, 550 mW, DFN1110D, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 250hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, DC-Stromverstärkung hFE: 250hFE, Qualifikation: AEC-Q101, Dauer-Kollektorstrom: 500mA, MSL: -, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 550mW, euEccn: NLR, Verlustleistung: 550mW, Bauform - Transistor: DFN1110D, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101, Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 45V, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: Produktreihe BC817QBH-Q, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, DC-Kollektorstrom: 500mA, Übergangsfrequenz: 100MHz, Betriebstemperatur, max.: 175°C, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).
Інші пропозиції BC817-40QBH-QZ за ціною від 1.87 грн до 25.74 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
BC817-40QBH-QZ | Виробник : Nexperia |
![]() |
на замовлення 19133 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
BC817-40QBH-QZ | Виробник : NEXPERIA |
![]() tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 250hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Dauer-Kollektorstrom: 500mA MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 550mW Bauform - Transistor: DFN1110D Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: Produktreihe BC817QBH-Q Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 100MHz Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 1900 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
BC817-40QBH-QZ | Виробник : Nexperia USA Inc. |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 3-XDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank Transistor Type: NPN Operating Temperature: 175°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 100mA, 1V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: DFN1110D-3 Grade: Automotive Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V Power - Max: 420 mW Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 20000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
BC817-40QBH-QZ | Виробник : Nexperia USA Inc. |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 3-XDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank Transistor Type: NPN Operating Temperature: 175°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 100mA, 1V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: DFN1110D-3 Grade: Automotive Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V Power - Max: 420 mW Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 24391 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
![]() |
BC817-40QBH-QZ | Виробник : Nexperia |
![]() |
товар відсутній |
|||||||||||||||
![]() |
BC817-40QBH-QZ | Виробник : Nexperia |
![]() |
товар відсутній |