![BC635 BC635](https://export.farnell.com/productimages/standard/en_GB/GE3TO92-40.jpg)
BC635 MULTICOMP PRO
![2861487.pdf](/images/adobe-acrobat.png)
Description: MULTICOMP PRO - BC635 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 45 V, 1 A, 800 mW, TO-92, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 1A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 800mW
Bauform - Transistor: TO-92
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 200MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 10327 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
39+ | 20.48 грн |
48+ | 16.42 грн |
100+ | 11.73 грн |
500+ | 7.62 грн |
1000+ | 5.02 грн |
5000+ | 4.39 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BC635 MULTICOMP PRO
Description: MULTICOMP PRO - BC635 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 45 V, 1 A, 800 mW, TO-92, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Dauer-Kollektorstrom: 1A, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 800mW, Bauform - Transistor: TO-92, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V, productTraceability: No, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 200MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Інші пропозиції BC635
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
---|---|---|---|---|---|
BC635 | Виробник : CDIL |
![]() |
на замовлення 210 шт: термін постачання 5 дні (днів) |
||
![]() |
BC635 (транзистор біполярный NPN) Код товару: 25673 |
![]() Корпус: TO-92 Uceo,V: 45 V Ucbo,V: 45 V Ic,A: 1 A |
товар відсутній
|
||
![]() |
BC635 | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
товар відсутній |
|
![]() |
BC635 | Виробник : onsemi |
![]() Packaging: Bulk Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 150mA, 2V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: TO-92-3 Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V Power - Max: 1 W |
товар відсутній |
|
![]() |
BC635 | Виробник : NXP Semiconductors |
![]() |
товар відсутній |
|
![]() |
BC635 | Виробник : STMicroelectronics |
![]() |
товар відсутній |
|
![]() |
BC635 | Виробник : onsemi / Fairchild |
![]() |
товар відсутній |