Технічний опис BAW62,133 NXP Semiconductors
Description: DIODE GEN PURP 75V 250MA ALF2, Packaging: Tape & Box (TB), Package / Case: DO-204AH, DO-35, Axial, Mounting Type: Through Hole, Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 4 ns, Technology: Standard, Capacitance @ Vr, F: 2pF @ 0V, 1MHz, Current - Average Rectified (Io): 250mA, Supplier Device Package: ALF2, Operating Temperature - Junction: 200°C (Max), Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 75 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 100 mA, Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 75 V.
Інші пропозиції BAW62,133
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
---|---|---|---|---|---|
![]() |
BAW62,133 | Виробник : Nexperia |
![]() |
товар відсутній |
|
![]() |
BAW62,133 | Виробник : Nexperia |
![]() |
товар відсутній |
|
BAW62,133 | Виробник : NEXPERIA |
![]() |
товар відсутній |
||
![]() |
BAW62,133 | Виробник : NXP USA Inc. |
![]() Packaging: Tape & Box (TB) Package / Case: DO-204AH, DO-35, Axial Mounting Type: Through Hole Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 4 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 2pF @ 0V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 250mA Supplier Device Package: ALF2 Operating Temperature - Junction: 200°C (Max) Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 75 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 100 mA Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 75 V |
товар відсутній |
|
![]() |
BAW62,133 | Виробник : Nexperia |
![]() |
товар відсутній |