![BAV19WS-E3-08 BAV19WS-E3-08](https://static6.arrow.com/aropdfconversion/arrowimages/7968959957745f8adc9898f1591eae7647e1bd01/83423-pt-medium.jpg)
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
9000+ | 2.12 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BAV19WS-E3-08 Vishay
Description: DIODE GEN PURP 100V 250MA SOD323, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SC-76, SOD-323, Mounting Type: Surface Mount, Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 50 ns, Technology: Standard, Capacitance @ Vr, F: 1.5pF @ 0V, 1MHz, Current - Average Rectified (Io): 250mA, Supplier Device Package: SOD-323, Operating Temperature - Junction: 150°C (Max), Part Status: Active, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.25 V @ 200 mA, Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 100 V.
Інші пропозиції BAV19WS-E3-08 за ціною від 2.16 грн до 21.95 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
BAV19WS-E3-08 | Виробник : Vishay General Semiconductor - Diodes Division |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-76, SOD-323 Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 50 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 1.5pF @ 0V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 250mA Supplier Device Package: SOD-323 Operating Temperature - Junction: 150°C (Max) Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.25 V @ 200 mA Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 100 V |
на замовлення 12000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
BAV19WS-E3-08 | Виробник : Vishay General Semiconductor - Diodes Division |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-76, SOD-323 Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 50 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 1.5pF @ 0V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 250mA Supplier Device Package: SOD-323 Operating Temperature - Junction: 150°C (Max) Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.25 V @ 200 mA Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 100 V |
на замовлення 16111 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
BAV19WS-E3-08 | Виробник : Vishay Semiconductors |
![]() |
на замовлення 11880 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
BAV19WS-E3-08 | Виробник : Vishay |
![]() |
на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||
![]() |
BAV19WS-E3-08 | Виробник : Vishay |
![]() |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
![]() |
BAV19WS-E3-08 | Виробник : VISHAY |
![]() Description: Diode: switching; SMD; 120V; 0.25A; 50ns; SOD323; Ufmax: 1.25V; 200mW Type of diode: switching Mounting: SMD Max. off-state voltage: 120V Load current: 0.25A Max. load current: 0.625A Reverse recovery time: 50ns Semiconductor structure: single diode Features of semiconductor devices: small signal Capacitance: 1.5pF Case: SOD323 Max. forward voltage: 1.25V Max. forward impulse current: 1A Leakage current: 15µA Power dissipation: 0.2W Kind of package: reel; tape кількість в упаковці: 5 шт |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
![]() |
BAV19WS-E3-08 | Виробник : VISHAY |
![]() Description: Diode: switching; SMD; 120V; 0.25A; 50ns; SOD323; Ufmax: 1.25V; 200mW Type of diode: switching Mounting: SMD Max. off-state voltage: 120V Load current: 0.25A Max. load current: 0.625A Reverse recovery time: 50ns Semiconductor structure: single diode Features of semiconductor devices: small signal Capacitance: 1.5pF Case: SOD323 Max. forward voltage: 1.25V Max. forward impulse current: 1A Leakage current: 15µA Power dissipation: 0.2W Kind of package: reel; tape |
товар відсутній |