BAT5402LRHE6327XTSA1 Infineon Technologies
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
15000+ | 5.72 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BAT5402LRHE6327XTSA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - BAT5402LRHE6327XTSA1 - Kleinsignal-Schottky-Diode, Einfach, 30 V, 200 mA, 800 mV, 600 mA, 150 °C, tariffCode: 85411000, Bauform - Diode: TSLP-2-7, Durchlassstoßstrom: 600mA, rohsCompliant: YES, Diodenmontage: Oberflächenmontage, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Diodenkonfiguration: Einfach, Qualifikation: -, Durchlassspannung, max.: 800mV, Sperrverzögerungszeit: 5ns, usEccn: EAR99, Durchschnittlicher Durchlassstrom: 200mA, euEccn: NLR, Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 30V, Anzahl der Pins: 2Pin(s), Produktpalette: BAT54, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (27-Jun-2018).
Інші пропозиції BAT5402LRHE6327XTSA1 за ціною від 7.07 грн до 38.79 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
BAT5402LRHE6327XTSA1 | Виробник : Infineon Technologies | Diode Schottky Si 0.2A 2-Pin TSLP T/R |
на замовлення 15000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||||
BAT5402LRHE6327XTSA1 | Виробник : Infineon Technologies | Diode Schottky Si 0.2A 2-Pin TSLP T/R |
на замовлення 15000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||||
BAT5402LRHE6327XTSA1 | Виробник : Infineon Technologies | Diode Schottky Si 0.2A 2-Pin TSLP T/R |
на замовлення 15000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||||
BAT5402LRHE6327XTSA1 | Виробник : Infineon Technologies | Diode Schottky Si 0.2A 2-Pin TSLP T/R |
на замовлення 75000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||||
BAT5402LRHE6327XTSA1 | Виробник : Infineon Technologies | Diode Schottky Si 0.2A 2-Pin TSLP T/R |
на замовлення 75000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||||
BAT5402LRHE6327XTSA1 | Виробник : Infineon Technologies | Diode Schottky Si 0.2A 2-Pin TSLP T/R |
на замовлення 75000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||||
BAT5402LRHE6327XTSA1 | Виробник : Infineon Technologies | Diode Schottky Si 0.2A 2-Pin TSLP T/R |
на замовлення 19606 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||||
BAT5402LRHE6327XTSA1 | Виробник : Infineon Technologies | Diode Schottky Si 0.2A 2-Pin TSLP T/R |
на замовлення 15000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||||
BAT5402LRHE6327XTSA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - BAT5402LRHE6327XTSA1 - Kleinsignal-Schottky-Diode, Einfach, 30 V, 200 mA, 800 mV, 600 mA, 150 °C tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: TSLP-2-7 Durchlassstoßstrom: 600mA rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - Durchlassspannung, max.: 800mV Sperrverzögerungszeit: 5ns usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 200mA euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 30V Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: BAT54 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) |
на замовлення 4850 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||||
BAT5402LRHE6327XTSA1 | Виробник : Infineon Technologies | Diode Schottky Si 0.2A 2-Pin TSLP T/R |
на замовлення 15000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||||
BAT5402LRHE6327XTSA1 | Виробник : Infineon Technologies | Diode Schottky Si 0.2A 2-Pin TSLP T/R |
на замовлення 19606 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||||
BAT5402LRHE6327XTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: DIODE SCHOTT 30V 200MA TSLP-2-7 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOD-882 Mounting Type: Surface Mount Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed Reverse Recovery Time (trr): 5 ns Technology: Schottky Capacitance @ Vr, F: 10pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 200mA Supplier Device Package: PG-TSLP-2-7 Operating Temperature - Junction: 150°C (Max) Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 800 mV @ 100 mA Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 µA @ 25 V |
на замовлення 8935 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||||
BAT5402LRHE6327XTSA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - BAT5402LRHE6327XTSA1 - Kleinsignal-Schottky-Diode, Einfach, 30 V, 200 mA, 800 mV, 600 mA, 150 °C tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: TSLP-2-7 Durchlassstoßstrom: 600mA rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - Durchlassspannung, max.: 800mV Sperrverzögerungszeit: 5ns usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 200mA euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 30V Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: BAT54 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) |
на замовлення 4850 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||||
BAT5402LRHE6327XTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: DIODE SCHOTT 30V 200MA TSLP-2-7 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOD-882 Mounting Type: Surface Mount Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed Reverse Recovery Time (trr): 5 ns Technology: Schottky Capacitance @ Vr, F: 10pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 200mA Supplier Device Package: PG-TSLP-2-7 Operating Temperature - Junction: 150°C (Max) Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 800 mV @ 100 mA Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 µA @ 25 V |
товар відсутній |