BAS516,H3F Toshiba Semiconductor and Storage
Виробник: Toshiba Semiconductor and StorageDescription: DIODE GEN PURP 100V 250MA ESC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-79, SOD-523
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 3 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 0.35pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 250mA
Supplier Device Package: ESC
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.25 V @ 150 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 nA @ 80 V
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4000+ | 2.06 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BAS516,H3F Toshiba Semiconductor and Storage
Description: DIODE GEN PURP 100V 250MA ESC, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SC-79, SOD-523, Mounting Type: Surface Mount, Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 3 ns, Technology: Standard, Capacitance @ Vr, F: 0.35pF @ 0V, 1MHz, Current - Average Rectified (Io): 250mA, Supplier Device Package: ESC, Operating Temperature - Junction: 150°C (Max), Part Status: Active, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.25 V @ 150 mA, Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 nA @ 80 V.
Інші пропозиції BAS516,H3F за ціною від 1.83 грн до 13 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
BAS516,H3F | Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: DIODE GEN PURP 100V 250MA ESC Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-79, SOD-523 Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 3 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 0.35pF @ 0V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 250mA Supplier Device Package: ESC Operating Temperature - Junction: 150°C (Max) Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.25 V @ 150 mA Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 nA @ 80 V |
на замовлення 6495 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
BAS516,H3F | Виробник : Toshiba |
Diodes - General Purpose, Power, Switching Switching Diode 100V .35pF .25A |
на замовлення 277654 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
BAS516,H3F | Виробник : Toshiba |
Diode Switching Si 100V 0.5A 2-Pin ESC T/R |
товар відсутній |