![BAS385-TR BAS385-TR](https://download.siliconexpert.com/pdfs/2017/3/1/6/51/39/874/vsh_/manual/85503-pt-medium.jpg)
BAS385-TR Vishay
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2500+ | 2.43 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BAS385-TR Vishay
Description: VISHAY - BAS385-TR - Kleinsignal-Schottky-Diode, Einfach, 30 V, 200 mA, 800 mV, 5 A, 125 °C, tariffCode: 85411000, Bauform - Diode: MicroMELF, Durchlassstoßstrom: 5A, rohsCompliant: Y-EX, Diodenmontage: Oberflächenmontage, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Diodenkonfiguration: Einfach, Qualifikation: AEC-Q101, Durchlassspannung, max.: 800mV, Sperrverzögerungszeit: -, usEccn: EAR99, Durchschnittlicher Durchlassstrom: 200mA, euEccn: NLR, Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 30V, Anzahl der Pins: 2Pin(s), Produktpalette: BAS38, productTraceability: No, Betriebstemperatur, max.: 125°C, SVHC: No SVHC (17-Jan-2022).
Інші пропозиції BAS385-TR за ціною від 2.73 грн до 31.43 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
BAS385-TR | Виробник : Vishay |
![]() |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
BAS385-TR | Виробник : VISHAY |
![]() Description: Diode: Schottky switching; SMD; 30V; 0.2A; MicroMELF; reel,tape Mounting: SMD Case: MicroMELF Leakage current: 2.3µA Max. off-state voltage: 30V Capacitance: 10pF Kind of package: reel; tape Type of diode: Schottky switching Features of semiconductor devices: small signal Max. load current: 0.3A Max. forward voltage: 0.8V Load current: 0.2A Semiconductor structure: single diode Max. forward impulse current: 5A |
на замовлення 22140 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
BAS385-TR | Виробник : Vishay General Semiconductor - Diodes Division |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 2-SMD, No Lead Mounting Type: Surface Mount Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed Technology: Schottky Capacitance @ Vr, F: 10pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 200mA Supplier Device Package: MicroMELF Operating Temperature - Junction: 125°C (Max) Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 800 mV @ 100 mA Current - Reverse Leakage @ Vr: 2.3 µA @ 25 V |
на замовлення 17500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
BAS385-TR | Виробник : VISHAY |
![]() Description: Diode: Schottky switching; SMD; 30V; 0.2A; MicroMELF; reel,tape Mounting: SMD Case: MicroMELF Leakage current: 2.3µA Max. off-state voltage: 30V Capacitance: 10pF Kind of package: reel; tape Type of diode: Schottky switching Features of semiconductor devices: small signal Max. load current: 0.3A Max. forward voltage: 0.8V Load current: 0.2A Semiconductor structure: single diode Max. forward impulse current: 5A кількість в упаковці: 20 шт |
на замовлення 22140 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
BAS385-TR | Виробник : VISHAY |
![]() tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: MicroMELF Durchlassstoßstrom: 5A rohsCompliant: Y-EX Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: AEC-Q101 Durchlassspannung, max.: 800mV Sperrverzögerungszeit: - usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 200mA euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 30V Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: BAS38 productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 125°C SVHC: No SVHC (17-Jan-2022) |
на замовлення 5355 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
BAS385-TR | Виробник : Vishay General Semiconductor - Diodes Division |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 2-SMD, No Lead Mounting Type: Surface Mount Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed Technology: Schottky Capacitance @ Vr, F: 10pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 200mA Supplier Device Package: MicroMELF Operating Temperature - Junction: 125°C (Max) Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 800 mV @ 100 mA Current - Reverse Leakage @ Vr: 2.3 µA @ 25 V |
на замовлення 20534 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
BAS385-TR | Виробник : VISHAY |
![]() tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: MicroMELF Durchlassstoßstrom: 5A rohsCompliant: Y-EX Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: AEC-Q101 Durchlassspannung, max.: 800mV Sperrverzögerungszeit: - usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 200mA euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 30V Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: BAS38 productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 125°C SVHC: No SVHC (17-Jan-2022) |
на замовлення 5355 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
BAS385-TR | Виробник : Vishay |
![]() |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||
![]() |
BAS385-TR | Виробник : Vishay |
![]() |
товар відсутній |
|||||||||||||||
![]() |
BAS385-TR | Виробник : Vishay |
![]() |
товар відсутній |
|||||||||||||||
![]() |
BAS385-TR | Виробник : Vishay Semiconductors |
![]() |
товар відсутній |