![BAS383-TR BAS383-TR](https://ce8dc832c.cloudimg.io/v7/_cdn_/2D/7F/B0/00/0/784338_1.jpg?width=640&height=480&wat=1&wat_url=_tme-wrk_%2Ftme_new.png&wat_scale=100p&ci_sign=8d3bae9eedf8436fc436012a59c856632ab5fd0c)
BAS383-TR VISHAY
![bas381.pdf](/images/adobe-acrobat.png)
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky switching; SMD; 60V; 30mA; MicroMELF; reel,tape
Mounting: SMD
Case: MicroMELF
Leakage current: 0.2µA
Max. off-state voltage: 60V
Capacitance: 1.6pF
Kind of package: reel; tape
Type of diode: Schottky switching
Features of semiconductor devices: small signal
Max. load current: 0.15A
Max. forward voltage: 1V
Load current: 30mA
Semiconductor structure: single diode
Max. forward impulse current: 0.5A
на замовлення 10325 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
95+ | 4.27 грн |
105+ | 3.57 грн |
305+ | 2.78 грн |
840+ | 2.63 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BAS383-TR VISHAY
Description: DIODE SCHOTT 60V 30MA MICROMELF, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 2-SMD, No Lead, Mounting Type: Surface Mount, Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, Technology: Schottky, Capacitance @ Vr, F: 1.6pF @ 1V, 1MHz, Current - Average Rectified (Io): 30mA, Supplier Device Package: MicroMELF, Operating Temperature - Junction: 125°C (Max), Grade: Automotive, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 60 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 15 mA, Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 nA @ 60 V, Qualification: AEC-Q101.
Інші пропозиції BAS383-TR за ціною від 3.16 грн до 28.23 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
BAS383-TR | Виробник : Vishay General Semiconductor - Diodes Division |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 2-SMD, No Lead Mounting Type: Surface Mount Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed Technology: Schottky Capacitance @ Vr, F: 1.6pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 30mA Supplier Device Package: MicroMELF Operating Temperature - Junction: 125°C (Max) Grade: Automotive Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 60 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 15 mA Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 nA @ 60 V Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 12436 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
BAS383-TR | Виробник : VISHAY |
![]() Description: Diode: Schottky switching; SMD; 60V; 30mA; MicroMELF; reel,tape Mounting: SMD Case: MicroMELF Leakage current: 0.2µA Max. off-state voltage: 60V Capacitance: 1.6pF Kind of package: reel; tape Type of diode: Schottky switching Features of semiconductor devices: small signal Max. load current: 0.15A Max. forward voltage: 1V Load current: 30mA Semiconductor structure: single diode Max. forward impulse current: 0.5A кількість в упаковці: 5 шт |
на замовлення 10325 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
BAS383-TR | Виробник : Vishay General Semiconductor - Diodes Division |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 2-SMD, No Lead Mounting Type: Surface Mount Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed Technology: Schottky Capacitance @ Vr, F: 1.6pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 30mA Supplier Device Package: MicroMELF Operating Temperature - Junction: 125°C (Max) Grade: Automotive Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 60 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 15 mA Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 nA @ 60 V Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 12436 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
BAS383-TR | Виробник : Vishay Semiconductors |
![]() |
на замовлення 26 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|||||||||||||
![]() |
BAS383-TR | Виробник : Vishay |
![]() |
товар відсутній |
|||||||||||||
![]() |
BAS383-TR | Виробник : Vishay |
![]() |
товар відсутній |