Продукція > TOSHIBA > BAS316,H3F
BAS316,H3F

BAS316,H3F Toshiba

13320docget.jspdid55416prodnamebas316.jspdid55416prodnamebas316.pdf Виробник: Toshiba
Rectifier Diode Switching Si 100V 0.25A 3ns 2-Pin USC T/R
на замовлення 7738 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
105+5.81 грн
151+ 4.04 грн
152+ 3.99 грн
265+ 2.2 грн
268+ 2.02 грн
500+ 1.58 грн
1000+ 1.04 грн
3000+ 1.02 грн
6000+ 1 грн
Мінімальне замовлення: 105
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BAS316,H3F Toshiba

Description: DIODE GEN PURP 100V 250MA USC, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SC-76, SOD-323, Mounting Type: Surface Mount, Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 3 ns, Technology: Standard, Capacitance @ Vr, F: 0.35pF @ 0V, 1MHz, Current - Average Rectified (Io): 250mA, Supplier Device Package: USC, Operating Temperature - Junction: 150°C (Max), Part Status: Active, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.25 V @ 150 mA, Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 nA @ 80 V.

Інші пропозиції BAS316,H3F за ціною від 1.34 грн до 12.26 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
BAS316,H3F BAS316,H3F Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage BAS316_datasheet_en_20161020.pdf?did=55416&prodName=BAS316 Description: DIODE GEN PURP 100V 250MA USC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-76, SOD-323
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 3 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 0.35pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 250mA
Supplier Device Package: USC
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.25 V @ 150 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 nA @ 80 V
на замовлення 2708 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
25+12.21 грн
36+ 8.23 грн
100+ 4.43 грн
500+ 3.27 грн
1000+ 2.27 грн
Мінімальне замовлення: 25
BAS316,H3F BAS316,H3F Виробник : Toshiba BAS316_datasheet_en_20161020-1139661.pdf Small Signal Switching Diodes Switching Diode 100V .35pF .25A
на замовлення 19610 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
27+12.26 грн
39+ 8.44 грн
100+ 4.23 грн
1000+ 2.33 грн
3000+ 1.98 грн
9000+ 1.69 грн
24000+ 1.34 грн
Мінімальне замовлення: 27
BAS316,H3F BAS316,H3F Виробник : Toshiba 13320docget.jspdid55416prodnamebas316.jspdid55416prodnamebas316.pdf Rectifier Diode Switching Si 100V 0.25A 3ns 2-Pin USC T/R
на замовлення 7738 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
BAS316,H3F BAS316,H3F Виробник : Toshiba 13320docget.jspdid55416prodnamebas316.jspdid55416prodnamebas316.pdf Rectifier Diode Switching Si 100V 0.25A 3ns 2-Pin USC T/R
товар відсутній
BAS316,H3F BAS316,H3F Виробник : Toshiba 13320docget.jspdid55416prodnamebas316.jspdid55416prodnamebas316.pdf Rectifier Diode Switching Si 100V 0.25A 3ns 2-Pin USC T/R
товар відсутній
BAS316,H3F BAS316,H3F Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage BAS316_datasheet_en_20161020.pdf?did=55416&prodName=BAS316 Description: DIODE GEN PURP 100V 250MA USC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-76, SOD-323
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 3 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 0.35pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 250mA
Supplier Device Package: USC
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.25 V @ 150 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 nA @ 80 V
товар відсутній