![BAS31,215 BAS31,215](https://mm.digikey.com/Volume0/opasdata/d220001/medias/images/5527/1727%7ESOT23-3%7ES23%7E3.jpg)
BAS31,215 Nexperia USA Inc.
![BAS29_31_35.pdf](/images/adobe-acrobat.png)
Description: DIODE ARR AVAL 90V 250MA TO236AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Technology: Avalanche
Diode Configuration: 1 Pair Series Connection
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 250mA (DC)
Supplier Device Package: TO-236AB
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 90 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 90 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q100
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3000+ | 4.41 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BAS31,215 Nexperia USA Inc.
Description: DIODE ARR AVAL 90V 250MA TO236AB, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 50 ns, Technology: Avalanche, Diode Configuration: 1 Pair Series Connection, Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 250mA (DC), Supplier Device Package: TO-236AB, Operating Temperature - Junction: 150°C (Max), Part Status: Active, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 90 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 200 mA, Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 90 V, Grade: Automotive, Qualification: AEC-Q100.
Інші пропозиції BAS31,215 за ціною від 3 грн до 27.24 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
BAS31,215 | Виробник : Nexperia |
![]() |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
BAS31,215 | Виробник : Nexperia |
![]() |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
BAS31,215 | Виробник : NEXPERIA |
![]() Description: Diode: switching; SMD; 110V; 150mA; 50ns; SOT23; Ufmax: 1.25V Type of diode: switching Mounting: SMD Max. off-state voltage: 110V Load current: 0.15A Reverse recovery time: 50ns Semiconductor structure: double series Features of semiconductor devices: avalanche breakdown effect Case: SOT23 Max. forward voltage: 1.25V Max. forward impulse current: 10A Kind of package: reel; tape |
на замовлення 4750 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
BAS31,215 | Виробник : NEXPERIA |
![]() Description: Diode: switching; SMD; 110V; 150mA; 50ns; SOT23; Ufmax: 1.25V Type of diode: switching Mounting: SMD Max. off-state voltage: 110V Load current: 0.15A Reverse recovery time: 50ns Semiconductor structure: double series Features of semiconductor devices: avalanche breakdown effect Case: SOT23 Max. forward voltage: 1.25V Max. forward impulse current: 10A Kind of package: reel; tape кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 4750 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
BAS31,215 | Виробник : Nexperia USA Inc. |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 50 ns Technology: Avalanche Diode Configuration: 1 Pair Series Connection Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 250mA (DC) Supplier Device Package: TO-236AB Operating Temperature - Junction: 150°C (Max) Grade: Automotive Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 90 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 200 mA Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 90 V Qualification: AEC-Q100 |
на замовлення 3893 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
BAS31,215 | Виробник : Nexperia |
![]() |
на замовлення 18125 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
BAS31,215 | Виробник : Nexperia |
![]() |
на замовлення 18125 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
BAS31,215 | Виробник : Nexperia |
![]() |
на замовлення 28116 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
BAS31,215 | Виробник : NXP/Nexperia/We-En |
![]() |
на замовлення 50 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
![]() |
BAS31,215 | Виробник : NEXPERIA |
![]() |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
![]() |
BAS31,215 | Виробник : Nexperia |
![]() |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
![]() |
BAS31,215 | Виробник : NEXPERIA |
![]() Bauform - Diode: SOT-23 Durchlassspannung Vf max.: 1.25 Diodenkonfiguration: Zwei in Reihe Sperrerholzeit Trr, max.: 50 Durchlassstrom (mittlerer) If(AV): 150 Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: BAS31 Spitzendurchlassstrom Ifsm, max.: 10 Betriebstemperatur, max.: 150 Periodische Sperrspannung Vrrm, max.: 110 SVHC: No SVHC (17-Jan-2022) |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
BAS31.215 | Виробник : NEXPERIA |
![]() Description: Diode: switching; SMD; 110V; 150mA; 50ns; SOT23; Ufmax: 1.25V Type of diode: switching Mounting: SMD Max. off-state voltage: 110V Load current: 0.15A Reverse recovery time: 50ns Semiconductor structure: double series Features of semiconductor devices: avalanche breakdown effect Case: SOT23 Max. forward voltage: 1.25V Max. forward impulse current: 10A Kind of package: reel; tape |
товар відсутній |