![BAS16VV,115 BAS16VV,115](https://static6.arrow.com/aropdfconversion/arrowimages/b5039937fc041130d2ae66f7b26e09c29e866b5c/sot666_3d.jpg)
на замовлення 28000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
4000+ | 4.94 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BAS16VV,115 Nexperia
Description: NEXPERIA - BAS16VV,115 - Kleinsignaldiode, Dreifach, isoliert, 100 V, 200 mA, 1.25 V, 4 ns, 4 A, tariffCode: 85411000, Bauform - Diode: SOT-666, Durchlassstoßstrom: 4A, rohsCompliant: YES, Diodenmontage: Oberflächenmontage, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Diodenkonfiguration: Dreifach, isoliert, Qualifikation: -, Durchlassspannung, max.: 1.25V, Sperrverzögerungszeit: 4ns, usEccn: EAR99, Durchschnittlicher Durchlassstrom: 200mA, euEccn: NLR, Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 100V, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: BAS16, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Інші пропозиції BAS16VV,115 за ціною від 4.5 грн до 30.98 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
BAS16VV,115 | Виробник : NEXPERIA |
![]() |
на замовлення 8000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
BAS16VV,115 | Виробник : Nexperia |
![]() |
на замовлення 60000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
BAS16VV,115 | Виробник : Nexperia |
![]() |
на замовлення 8000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
BAS16VV,115 | Виробник : Nexperia |
![]() |
на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
BAS16VV,115 | Виробник : Nexperia |
![]() |
на замовлення 60000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
BAS16VV,115 | Виробник : Nexperia |
![]() |
на замовлення 8000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
BAS16VV,115 | Виробник : Nexperia USA Inc. |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-563, SOT-666 Mounting Type: Surface Mount Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed Reverse Recovery Time (trr): 4 ns Technology: Standard Diode Configuration: 3 Independent Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 200mA (DC) Supplier Device Package: SOT-666 Operating Temperature - Junction: 150°C (Max) Part Status: Not For New Designs Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.25 V @ 150 mA Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 nA @ 80 V |
на замовлення 12000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
BAS16VV,115 | Виробник : Nexperia |
![]() |
на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
BAS16VV,115 | Виробник : Nexperia |
![]() |
на замовлення 60000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
BAS16VV,115 | Виробник : Nexperia |
![]() |
на замовлення 6269 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
BAS16VV,115 | Виробник : Nexperia |
![]() |
на замовлення 6269 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
BAS16VV,115 | Виробник : NEXPERIA |
![]() tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: SOT-666 Durchlassstoßstrom: 4A rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Dreifach, isoliert Qualifikation: - Durchlassspannung, max.: 1.25V Sperrverzögerungszeit: 4ns usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 200mA euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 100V Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: BAS16 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 2590 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
BAS16VV,115 | Виробник : NEXPERIA |
![]() tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: SOT-666 Durchlassstoßstrom: 4A rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Dreifach, isoliert Qualifikation: - Durchlassspannung, max.: 1.25V Sperrverzögerungszeit: 4ns usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 200mA euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 100V Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: BAS16 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 2590 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
BAS16VV,115 | Виробник : Nexperia USA Inc. |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-563, SOT-666 Mounting Type: Surface Mount Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed Reverse Recovery Time (trr): 4 ns Technology: Standard Diode Configuration: 3 Independent Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 200mA (DC) Supplier Device Package: SOT-666 Operating Temperature - Junction: 150°C (Max) Part Status: Not For New Designs Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.25 V @ 150 mA Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 nA @ 80 V |
на замовлення 12560 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
BAS16VV,115 | Виробник : Nexperia |
![]() |
на замовлення 119993 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
BAS16VV,115 |
![]() |
на замовлення 5174 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
|||||||||||||||||
BAS16VV,115 | Виробник : NEXPERIA |
![]() Description: Diode: switching; SMD; 100V; 200mA; 4ns; SOT666; Ufmax: 1.25V; 0.18W Type of diode: switching Mounting: SMD Max. off-state voltage: 100V Load current: 0.2A Reverse recovery time: 4ns Semiconductor structure: triple independent Features of semiconductor devices: fast switching Case: SOT666 Max. forward voltage: 1.25V Max. forward impulse current: 4A Leakage current: 50µA Power dissipation: 0.18W Kind of package: reel; tape кількість в упаковці: 5 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||||
BAS16VV,115 | Виробник : NEXPERIA |
![]() Description: Diode: switching; SMD; 100V; 200mA; 4ns; SOT666; Ufmax: 1.25V; 0.18W Type of diode: switching Mounting: SMD Max. off-state voltage: 100V Load current: 0.2A Reverse recovery time: 4ns Semiconductor structure: triple independent Features of semiconductor devices: fast switching Case: SOT666 Max. forward voltage: 1.25V Max. forward impulse current: 4A Leakage current: 50µA Power dissipation: 0.18W Kind of package: reel; tape |
товар відсутній |