![BAS16L-HG3-08 BAS16L-HG3-08](https://mm.digikey.com/Volume0/opasdata/d220001/medias/images/4058/MFG_BAS16Lseries.jpg)
BAS16L-HG3-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division
![bas16l.pdf](/images/adobe-acrobat.png)
Description: DIODE GP 100V 250MA DFN1006-2A
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 0402 (1006 Metric)
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 4 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 0.36pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 250mA
Supplier Device Package: DFN1006-2A
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.25 V @ 150 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 100 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
10000+ | 3 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BAS16L-HG3-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GP 100V 250MA DFN1006-2A, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 0402 (1006 Metric), Mounting Type: Surface Mount, Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 4 ns, Technology: Standard, Capacitance @ Vr, F: 0.36pF @ 0V, 1MHz, Current - Average Rectified (Io): 250mA, Supplier Device Package: DFN1006-2A, Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C, Grade: Automotive, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.25 V @ 150 mA, Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 100 V, Qualification: AEC-Q101.
Інші пропозиції BAS16L-HG3-08 за ціною від 2.39 грн до 25.17 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
BAS16L-HG3-08 | Виробник : Vishay General Semiconductor - Diodes Division |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 0402 (1006 Metric) Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 4 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 0.36pF @ 0V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 250mA Supplier Device Package: DFN1006-2A Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Grade: Automotive Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.25 V @ 150 mA Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 100 V Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 10518 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
BAS16L-HG3-08 | Виробник : Vishay Semiconductors |
![]() |
на замовлення 76496 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
BAS16L-HG3-08 | Виробник : Vishay |
![]() |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
BAS16L-HG3-08 | Виробник : Vishay |
![]() |
товар відсутній |