![BAQ333-TR BAQ333-TR](https://media.digikey.com/Photos/Vishay%20Semiconductors/mfg_MicroMELF.jpg)
BAQ333-TR Vishay General Semiconductor - Diodes Division
на замовлення 2490 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BAQ333-TR Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Category: SMD universal diodes, Description: Diode: rectifying; SMD; 40V; 0.2A; MicroMELF; Ufmax: 1V; Ifsm: 2A, Type of diode: rectifying, Mounting: SMD, Case: MicroMELF, Kind of package: reel; tape, Max. off-state voltage: 40V, Load current: 0.2A, Semiconductor structure: single diode, Leakage current: 1nA, Capacitance: 3pF, Max. forward impulse current: 2A, Max. forward voltage: 1V.
Інші пропозиції BAQ333-TR
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
---|---|---|---|---|---|
BAQ333-TR | Виробник : Vishay Semiconductors |
![]() |
на замовлення 3628 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
||
BAQ333-TR (диод) Код товару: 116333 |
Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 3 |
товар відсутній
|
|||
![]() |
BAQ333-TR | Виробник : Vishay General Semiconductor - Diodes Division |
![]() |
товар відсутній |
|
BAQ333-TR | Виробник : VISHAY |
![]() Description: Diode: rectifying; SMD; 40V; 0.2A; MicroMELF; Ufmax: 1V; Ifsm: 2A Type of diode: rectifying Mounting: SMD Case: MicroMELF Kind of package: reel; tape Max. off-state voltage: 40V Load current: 0.2A Semiconductor structure: single diode Leakage current: 1nA Capacitance: 3pF Max. forward impulse current: 2A Max. forward voltage: 1V |
товар відсутній |