Продукція > NXP > BAL99/DG/B2215

BAL99/DG/B2215 NXP

PHGLS19330-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Виробник: NXP
Description: NXP - BAL99/DG/B2215 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85411000
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 279000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
32051+1.18 грн
Мінімальне замовлення: 32051
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BAL99/DG/B2215 NXP

Description: DIODE GEN PURP 80V 250MA SOT23-3, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 4 ns, Technology: Standard, Capacitance @ Vr, F: 1.5pF @ 0V, 1MHz, Current - Average Rectified (Io): 250mA, Supplier Device Package: SOT-23-3, Operating Temperature - Junction: 150°C (Max), Grade: Automotive, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 80 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.25 V @ 150 mA, Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 70 V, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції BAL99/DG/B2215

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
BAL99/DG/B2215 BAL99/DG/B2215 Виробник : NXP USA Inc. PHGLS19330-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: DIODE GEN PURP 80V 250MA SOT23-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 4 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 1.5pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 250mA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 80 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.25 V @ 150 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 70 V
Qualification: AEC-Q101
товар відсутній