BAL 74 E6327 Infineon Technologies
Виробник: Infineon Technologies
Diodes - General Purpose, Power, Switching Silicon Switch Diode 250mA
Diodes - General Purpose, Power, Switching Silicon Switch Diode 250mA
на замовлення 3026 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
14+ | 24.96 грн |
19+ | 17.07 грн |
100+ | 7.25 грн |
1000+ | 4.18 грн |
3000+ | 3.62 грн |
9000+ | 2.79 грн |
24000+ | 2.72 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BAL 74 E6327 Infineon Technologies
Description: DIODE GEN PURP 50V 250MA SOT23, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 4 ns, Technology: Standard, Capacitance @ Vr, F: 2pF @ 0V, 1MHz, Current - Average Rectified (Io): 250mA, Supplier Device Package: PG-SOT23, Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C, Part Status: Active, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 100 mA, Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 50 V.
Інші пропозиції BAL 74 E6327
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
---|---|---|---|---|---|
BAL74E6327 | Виробник : TI | 07+ |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||
BAL74E6327 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: DIODE GEN PURP 50V 250MA SOT23 Packaging: Bulk Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 4 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 2pF @ 0V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 250mA Supplier Device Package: PG-SOT23 Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 100 mA Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 50 V |
товар відсутній |