![B80C800GL-801E4/51 B80C800GL-801E4/51](https://www.mouser.com/images/vishay/lrg/wog.jpg)
B80C800GL-801E4/51 Vishay General Semiconductor
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
7+ | 49.61 грн |
10+ | 42.68 грн |
100+ | 25.65 грн |
500+ | 21.44 грн |
1000+ | 16.24 грн |
5000+ | 16.17 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис B80C800GL-801E4/51 Vishay General Semiconductor
Description: GLASS PASSIVATED BRIDGE RECT WOG, Packaging: Bag, Package / Case: 4-Circular, WOG, Mounting Type: Through Hole, Diode Type: Single Phase, Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ), Technology: Standard, Supplier Device Package: WOG, Voltage - Peak Reverse (Max): 125 V, Current - Average Rectified (Io): 900 mA, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 900 mA, Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 125 V.
Інші пропозиції B80C800GL-801E4/51 за ціною від 13.85 грн до 32.69 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
B80C800GL-801E4/51 | Виробник : Vishay General Semiconductor - Diodes Division |
![]() Packaging: Bag Package / Case: 4-Circular, WOG Mounting Type: Through Hole Diode Type: Single Phase Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ) Technology: Standard Supplier Device Package: WOG Voltage - Peak Reverse (Max): 125 V Current - Average Rectified (Io): 900 mA Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 900 mA Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 125 V |
на замовлення 2900 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||
![]() |
B80C800GL-801E4/51 | Виробник : Vishay |
![]() |
товар відсутній |