AUIRLR3410TRL

AUIRLR3410TRL Infineon Technologies


IRSD-S-A0000226357-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 100V 17A DPAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 79W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 4925 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
249+86.09 грн
Мінімальне замовлення: 249
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис AUIRLR3410TRL Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 100V 17A DPAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 10A, 10V, Power Dissipation (Max): 79W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA, Supplier Device Package: PG-TO252-3, Part Status: Last Time Buy, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V, Vgs (Max): ±16V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800 pF @ 25 V, Grade: Automotive, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції AUIRLR3410TRL за ціною від 75.48 грн до 235.98 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
AUIRLR3410TRL AUIRLR3410TRL Виробник : INFINEON INFN-S-A0002297192-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - AUIRLR3410TRL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 17 A, 0.105 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 17A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 79W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.105ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 2616 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+136.9 грн
500+ 114.63 грн
1000+ 87.5 грн
Мінімальне замовлення: 100
AUIRLR3410TRL AUIRLR3410TRL Виробник : Infineon Technologies auirlr3410-1225220.pdf MOSFET AUTO 100V 1 N-CH HEXFET 105mOhms
на замовлення 6395 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+193.39 грн
10+ 166.3 грн
100+ 133.32 грн
250+ 122.03 грн
500+ 110.04 грн
1000+ 91 грн
3000+ 75.48 грн
Мінімальне замовлення: 2
AUIRLR3410TRL AUIRLR3410TRL Виробник : INFINEON INFN-S-A0002297192-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - AUIRLR3410TRL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 17 A, 0.105 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 17A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 79W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.105ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 2616 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+209.7 грн
10+ 162.22 грн
100+ 136.9 грн
500+ 114.63 грн
1000+ 87.5 грн
Мінімальне замовлення: 4
AUIRLR3410TRL AUIRLR3410TRL Виробник : Infineon Technologies 3677771262171658auirlr3410.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 17A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
52+235.98 грн
59+ 208.95 грн
100+ 189.2 грн
200+ 180.44 грн
500+ 146.66 грн
1000+ 128.31 грн
2000+ 115.84 грн
3000+ 110.49 грн
Мінімальне замовлення: 52
AUIRLR3410TRL AUIRLR3410TRL Виробник : Infineon Technologies 3677771262171658auirlr3410.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 17A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
AUIRLR3410TRL Виробник : Infineon IRSD-S-A0000226357-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
AUIRLR3410TRL AUIRLR3410TRL Виробник : Infineon Technologies 3677771262171658auirlr3410.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 17A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товар відсутній
AUIRLR3410TRL AUIRLR3410TRL Виробник : Infineon Technologies IRSD-S-A0000226357-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: MOSFET N-CH 100V 17A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 79W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Last Time Buy
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товар відсутній
AUIRLR3410TRL AUIRLR3410TRL Виробник : Infineon Technologies IRSD-S-A0000226357-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: MOSFET N-CH 100V 17A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 79W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Last Time Buy
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товар відсутній