AUIRLR3410TR Infineon Technologies
Виробник: Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 100V 17A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 380 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4+ | 177 грн |
| 10+ | 160.82 грн |
| 100+ | 132.13 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис AUIRLR3410TR Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 100V 17A DPAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 10A, 10V, Power Dissipation (Max): 79W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V, Vgs (Max): ±16V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800 pF @ 25 V.
Інші пропозиції AUIRLR3410TR за ціною від 142.29 грн до 190.61 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
AUIRLR3410TR | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 17A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 380 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
| AUIRLR3410TR | Виробник : Infineon |
|
на замовлення 2000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||
 |
AUIRLR3410TR | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 17A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
товар відсутній |
|||||||||
|
|
AUIRLR3410TR | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 17A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
товар відсутній |
|||||||||
 |
AUIRLR3410TR | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 100V 17A DPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 79W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800 pF @ 25 V |
товар відсутній |
|||||||||
 |
AUIRLR3410TR | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFET AUTO 100V 1 N-CH HEXFET 105mOhms |
товар відсутній |