AUIRLR2905ZTRL Infineon Technologies
Виробник: Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 55V 60A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 865 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 5+ | 134.39 грн |
| 10+ | 122.3 грн |
| 25+ | 121.63 грн |
| 100+ | 103.18 грн |
| 250+ | 90.61 грн |
| 500+ | 75.54 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис AUIRLR2905ZTRL Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 55V 42A DPAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.5mOhm @ 36A, 10V, Power Dissipation (Max): 110W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK), Part Status: Not For New Designs, Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1570 pF @ 25 V.
Інші пропозиції AUIRLR2905ZTRL за ціною від 81.35 грн до 191.88 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
AUIRLR2905ZTRL | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 55V 60A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 865 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
AUIRLR2905ZTRL | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFETs AUTO 55V 1 N-CH HEXFET 13.5mOhms |
на замовлення 15045 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
AUIRLR2905ZTRL | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 55V 60A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
|
|
AUIRLR2905ZTRL | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 55V 60A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
| AUIRLR2905ZTRL | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 42A; Idm: 240A; 110W; DPAK Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 55V Drain current: 42A Pulsed drain current: 240A Power dissipation: 110W Case: DPAK Gate-source voltage: ±16V On-state resistance: 13.5mΩ Mounting: SMD Gate charge: 35nC Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 3000 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
 |
AUIRLR2905ZTRL | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 55V 42A DPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.5mOhm @ 36A, 10V Power Dissipation (Max): 110W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK) Part Status: Not For New Designs Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1570 pF @ 25 V |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
| AUIRLR2905ZTRL | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 42A; Idm: 240A; 110W; DPAK Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 55V Drain current: 42A Pulsed drain current: 240A Power dissipation: 110W Case: DPAK Gate-source voltage: ±16V On-state resistance: 13.5mΩ Mounting: SMD Gate charge: 35nC Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |