AUIRL7732S2TR Infineon Technologies
Виробник: Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 14A DIRECTFET SC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DirectFET™ Isometric SC
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.6mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.2W (Ta), 41W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 50µA
Supplier Device Package: DIRECTFET™ SC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2020 pF @ 25 V
на замовлення 4800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4800+ | 53.42 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис AUIRL7732S2TR Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 40V 14A DIRECTFET SC, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: DirectFET™ Isometric SC, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.6mOhm @ 35A, 10V, Power Dissipation (Max): 2.2W (Ta), 41W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 50µA, Supplier Device Package: DIRECTFET™ SC, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±16V, Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2020 pF @ 25 V.
Інші пропозиції AUIRL7732S2TR за ціною від 50.16 грн до 123.17 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
AUIRL7732S2TR | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 40V 14A DIRECTFET SC Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: DirectFET™ Isometric SC Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.6mOhm @ 35A, 10V Power Dissipation (Max): 2.2W (Ta), 41W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 50µA Supplier Device Package: DIRECTFET™ SC Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2020 pF @ 25 V |
на замовлення 4800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| AUIRL7732S2TR | Виробник : ROCHESTER ELECTRONICS |
Description: ROCHESTER ELECTRONICS - AUIRL7732S2TR - AUIRL7732S2 20V-40V N-CHANNEL AUTOMOTIVE tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 21208 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
 |
AUIRL7732S2TR | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 40V 14A Automotive 7-Pin Direct-FET SC T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||
 |
AUIRL7732S2TR | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 58A; 41W; DirectFET Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40V Drain current: 58A Power dissipation: 41W Case: DirectFET Mounting: SMD Kind of package: reel Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: logic level кількість в упаковці: 4800 шт |
товар відсутній |
|||||||||||||||
 |
AUIRL7732S2TR | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 40V 14A Automotive 7-Pin Direct-FET SC T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||
|
|
AUIRL7732S2TR | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 40V 14A Automotive 7-Pin Direct-FET SC T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||
 |
AUIRL7732S2TR | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFET 40V AUTOGRADE 1 N-CH HEXFET 6.6mOhms |
товар відсутній |
|||||||||||||||
|
|
AUIRL7732S2TR | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 58A; 41W; DirectFET Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40V Drain current: 58A Power dissipation: 41W Case: DirectFET Mounting: SMD Kind of package: reel Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: logic level |
товар відсутній |