![AUIRFSL8408 AUIRFSL8408](https://mm.digikey.com/Volume0/opasdata/d220001/medias/images/4056/MFG_ISL9N302AS3.jpg)
AUIRFSL8408 International Rectifier
![IRSDS18594-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw](/images/adobe-acrobat.png)
Description: AUTOMOTIVE HEXFET N CHANNEL
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 195A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 294W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-262
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 324 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10820 pF @ 25 V
на замовлення 1435 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
166+ | 123.92 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис AUIRFSL8408 International Rectifier
Description: AUTOMOTIVE HEXFET N CHANNEL, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 195A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6mOhm @ 100A, 10V, Power Dissipation (Max): 294W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-262, Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 324 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10820 pF @ 25 V.
Інші пропозиції AUIRFSL8408
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
---|---|---|---|---|---|
![]() |
AUIRFSL8408 | Виробник : Infineon / IR |
![]() |
на замовлення 395 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |