![AUIRFS8409-7TRL AUIRFS8409-7TRL](https://static6.arrow.com/aropdfconversion/arrowimages/e8e9884bc48deca215a6b98e1f2f621025283571/d2pak-7p.jpg)
AUIRFS8409-7TRL Infineon Technologies
![8auirfs8409-7p.pdf](/images/adobe-acrobat.png)
Trans MOSFET N-CH Si 40V 522A Automotive AEC-Q101 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 737 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
42+ | 290.48 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис AUIRFS8409-7TRL Infineon Technologies
Description: INFINEON - AUIRFS8409-7TRL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 240 A, 550 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 240A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 375W, Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Anzahl der Pins: 7Pin(s), Produktpalette: HEXFET, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 550µohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2018).
Інші пропозиції AUIRFS8409-7TRL за ціною від 183.82 грн до 498.97 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
AUIRFS8409-7TRL | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 5128 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
AUIRFS8409-7TRL | Виробник : Infineon Technologies |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 240A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.75mOhm @ 100A, 10V Power Dissipation (Max): 375W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 250µA Supplier Device Package: D2PAK (7-Lead) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 460 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13975 pF @ 25 V |
на замовлення 752 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
AUIRFS8409-7TRL | Виробник : INFINEON |
![]() tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES Verlustleistung: 375W Kanaltyp: n-Kanal euEccn: NLR hazardous: false Drain-Source-Durchgangswiderstand: 550µohm rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
на замовлення 795 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
AUIRFS8409-7TRL | Виробник : INFINEON |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 240A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 375W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 550µohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) |
на замовлення 1543 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
AUIRFS8409-7TRL | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 1458 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
AUIRFS8409-7TRL | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 737 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||
![]() |
AUIRFS8409-7TRL | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
![]() |
AUIRFS8409-7TRL | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
![]() |
AUIRFS8409-7TRL | Виробник : Infineon Technologies |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 240A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.75mOhm @ 100A, 10V Power Dissipation (Max): 375W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 250µA Supplier Device Package: D2PAK (7-Lead) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 460 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13975 pF @ 25 V |
товар відсутній |