AUIRFS6535TRL

AUIRFS6535TRL Infineon Technologies


Infineon_AUIRFSL6535_DS_v01_01_EN-3360435.pdf Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs Automotive Power MOSFET; 300V 185mOhm
на замовлення 807 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+302.58 грн
10+ 250.57 грн
25+ 205.94 грн
100+ 176.42 грн
250+ 166.58 грн
500+ 156.74 грн
800+ 125.81 грн
Мінімальне замовлення: 2
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис AUIRFS6535TRL Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 300V 19A D2PAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 185mOhm @ 11A, 10V, Power Dissipation (Max): 210W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 150µA, Supplier Device Package: PG-TO263-3, Part Status: Not For New Designs, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2340 pF @ 25 V.

Інші пропозиції AUIRFS6535TRL

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
AUIRFS6535TRL AUIRFS6535TRL Виробник : Infineon Technologies infineon-auirfsl6535-ds-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 300V 19A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
AUIRFS6535TRL AUIRFS6535TRL Виробник : Infineon Technologies auirfs6535.pdf?fileId=5546d462533600a4015355b6f2c514d7 Description: MOSFET N-CH 300V 19A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 185mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 210W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 150µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2340 pF @ 25 V
товар відсутній