Продукція > INFINEON > AUIRFR9024NTRL
AUIRFR9024NTRL

AUIRFR9024NTRL INFINEON

2882439.pdf Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - AUIRFR9024NTRL - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 55 V, 11 A, 0.175 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 38W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.175ohm
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
на замовлення 39 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
6+156.9 грн
10+ 117.48 грн
Мінімальне замовлення: 6
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис AUIRFR9024NTRL INFINEON

Description: INFINEON - AUIRFR9024NTRL - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 55 V, 11 A, 0.175 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 55V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 11A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 38W, Bauform - Transistor: TO-252AA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: HEXFET, productTraceability: No, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.175ohm, SVHC: No SVHC (08-Jul-2021).

Інші пропозиції AUIRFR9024NTRL за ціною від 79.22 грн до 331.97 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
AUIRFR9024NTRL AUIRFR9024NTRL Виробник : Infineon Technologies 3449991645299174auirfr9024n.pdf Trans MOSFET P-CH Si 55V 11A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
37+331.97 грн
75+ 161.89 грн
82+ 147.54 грн
101+ 115.59 грн
200+ 99.72 грн
500+ 94.85 грн
1000+ 85.36 грн
2000+ 79.65 грн
3000+ 79.22 грн
Мінімальне замовлення: 37
AUIRFR9024NTRL AUIRFR9024NTRL Виробник : INFINEON 2882439.pdf Description: INFINEON - AUIRFR9024NTRL - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 55 V, 11 A, 0.175 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 38W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.175ohm
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
на замовлення 39 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
AUIRFR9024NTRL AUIRFR9024NTRL Виробник : Infineon Technologies 3449991645299174auirfr9024n.pdf Trans MOSFET P-CH Si 55V 11A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товар відсутній
AUIRFR9024NTRL Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES INFN-S-A0002298863-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -55V; -8A; Idm: -44A; 38W; DPAK
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -55V
Drain current: -8A
Pulsed drain current: -44A
Power dissipation: 38W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.175Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 19nC
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 3000 шт
товар відсутній
AUIRFR9024NTRL AUIRFR9024NTRL Виробник : Infineon Technologies INFN-S-A0002298863-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: MOSFET P-CH 55V 11A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 175mOhm @ 6.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 38W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V
товар відсутній
AUIRFR9024NTRL AUIRFR9024NTRL Виробник : Infineon Technologies INFN-S-A0002298863-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: MOSFET P-CH 55V 11A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 175mOhm @ 6.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 38W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V
товар відсутній
AUIRFR9024NTRL Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES INFN-S-A0002298863-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -55V; -8A; Idm: -44A; 38W; DPAK
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -55V
Drain current: -8A
Pulsed drain current: -44A
Power dissipation: 38W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.175Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 19nC
Kind of channel: enhanced
товар відсутній