AUIRFR6215 Infineon Technologies
на замовлення 2700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2700+ | 132.11 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис AUIRFR6215 Infineon Technologies
Description: INFINEON - AUIRFR6215 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 150 V, 13 A, 0.295 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 150, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 13, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 110, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4, euEccn: NLR, Verlustleistung: 110, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101, Anzahl der Pins: 3, Produktpalette: HexFET, productTraceability: No, Wandlerpolarität: p-Kanal, Kanaltyp: p-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.295, Rds(on)-Prüfspannung: 10, Betriebstemperatur, max.: 175, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.295, SVHC: No SVHC (08-Jul-2021).
Інші пропозиції AUIRFR6215 за ціною від 112.38 грн до 225.5 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
AUIRFR6215 | Виробник : Infineon Technologies |
 Trans MOSFET P-CH Si 150V 13A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube |
на замовлення 2700 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
AUIRFR6215 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -150V; -13A; 110W; DPAK Case: DPAK Mounting: SMD On-state resistance: 0.295Ω Type of transistor: P-MOSFET Power dissipation: 110W Polarisation: unipolar Gate charge: 66nC Technology: HEXFET® Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Drain-source voltage: -150V Drain current: -13A |
на замовлення 38 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
AUIRFR6215 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -150V; -13A; 110W; DPAK Case: DPAK Mounting: SMD On-state resistance: 0.295Ω Type of transistor: P-MOSFET Power dissipation: 110W Polarisation: unipolar Gate charge: 66nC Technology: HEXFET® Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Drain-source voltage: -150V Drain current: -13A кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 38 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
AUIRFR6215 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - AUIRFR6215 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 150 V, 13 A, 0.295 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 150 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 13 hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 110 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4 euEccn: NLR Verlustleistung: 110 Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101 Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: HexFET productTraceability: No Wandlerpolarität: p-Kanal Kanaltyp: p-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.295 Rds(on)-Prüfspannung: 10 Betriebstemperatur, max.: 175 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.295 SVHC: No SVHC (08-Jul-2021) |
на замовлення 783 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
AUIRFR6215 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH Si 150V 13A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube |
товар відсутній |
|||||||||||
 |
AUIRFR6215 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET P-CH 150V 13A DPAK Packaging: Tube Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 295mOhm @ 6.6A, 10V Power Dissipation (Max): 110W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK) Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 860 pF @ 25 V |
товар відсутній |
|||||||||||
 |
AUIRFR6215 | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFET AUTO -150V 1 P-CH HEXFET 580mOhms |
товар відсутній |