AUIRFR4620TRL Infineon Technologies
Виробник: Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 200V 24A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 78mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 144W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1710 pF @ 50 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 108.68 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис AUIRFR4620TRL Infineon Technologies
Description: INFINEON - AUIRFR4620TRL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 24 A, 0.064 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 200, Dauer-Drainstrom Id: 24, hazardous: false, Qualifikation: AEC-Q101, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 144, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5, euEccn: NLR, Verlustleistung: 144, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101, Anzahl der Pins: 3, Produktpalette: HEXFET, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.064, Rds(on)-Prüfspannung: 10, Betriebstemperatur, max.: 175, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.064, SVHC: No SVHC (08-Jul-2021).
Інші пропозиції AUIRFR4620TRL за ціною від 100.17 грн до 268.25 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
AUIRFR4620TRL | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFETs AUTO 200V 1 N-CH HEXFET 78mOhms |
на замовлення 40751 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
AUIRFR4620TRL | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - AUIRFR4620TRL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 24 A, 0.064 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 200 Dauer-Drainstrom Id: 24 hazardous: false Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 144 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5 euEccn: NLR Verlustleistung: 144 Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101 Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: HEXFET Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.064 Rds(on)-Prüfspannung: 10 Betriebstemperatur, max.: 175 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.064 SVHC: No SVHC (08-Jul-2021) |
на замовлення 8085 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
AUIRFR4620TRL | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 200V 24A DPAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 78mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 144W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK) Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1710 pF @ 50 V |
на замовлення 5650 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
AUIRFR4620TRL | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - AUIRFR4620TRL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 24 A, 0.064 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 200 Dauer-Drainstrom Id: 24 hazardous: false Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 144 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5 euEccn: NLR Verlustleistung: 144 Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101 Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: HEXFET Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.064 Rds(on)-Prüfspannung: 10 Betriebstemperatur, max.: 175 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.064 SVHC: No SVHC (08-Jul-2021) |
на замовлення 8085 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| AUIRFR4620TRL | Виробник : Infineon |
|
на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||
 |
AUIRFR4620TRL | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 200V 24A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
 |
AUIRFR4620TRL | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 200V 24A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
|
|
AUIRFR4620TRL | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 200V 24A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
товар відсутній |