AUIRFR4615

AUIRFR4615 Infineon / IR


auirfr4615-1730926.pdf Виробник: Infineon / IR
MOSFET AUTO 150V 1 N-CH HEXFET 42mOhms
на замовлення 2993 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис AUIRFR4615 Infineon / IR

Description: MOSFET N-CH 150V 33A DPAK, Packaging: Tube, Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 21A, 10V, Power Dissipation (Max): 144W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA, Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1750 pF @ 50 V.

Інші пропозиції AUIRFR4615 за ціною від 74.93 грн до 86.46 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
AUIRFR4615 Виробник : International Rectifier/Infineon IRSDS11820-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw N-канальний ПТ; Id = 33 А; Ciss, пФ @ Uds, В = 1750 @ 50; Qg, нКл = 26 @ 10 В; Rds = 42 мОм @ 21 A, 10 В; Ugs(th) = 5 В @ 100 мкА; Р, Вт = 144; Тексп, °C = -55...+175; Тип монт. = smd; DPAK-3
на замовлення 31 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
8+86.46 грн
10+ 80.68 грн
100+ 74.93 грн
Мінімальне замовлення: 8
AUIRFR4615 AUIRFR4615 Виробник : Infineon Technologies IRSDS11820-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: MOSFET N-CH 150V 33A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 21A, 10V
Power Dissipation (Max): 144W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1750 pF @ 50 V
товар відсутній