AUIRFR2905ZTRL Infineon Technologies
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 66.49 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис AUIRFR2905ZTRL Infineon Technologies
Description: INFINEON - AUIRFR2905ZTRL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 59 A, 0.0111 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 55V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 59A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 110W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 110W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: HEXFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0111ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0111ohm, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).
Інші пропозиції AUIRFR2905ZTRL за ціною від 65.32 грн до 136.1 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
AUIRFR2905ZTRL | Виробник : Infineon Technologies |
 Trans MOSFET N-CH Si 55V 59A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 18000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
AUIRFR2905ZTRL | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 55V 59A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 18000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
AUIRFR2905ZTRL | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - AUIRFR2905ZTRL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 59 A, 0.0111 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 55V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 59A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 110W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 110W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0111ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0111ohm SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
на замовлення 2977 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
AUIRFR2905ZTRL | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 55V 59A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 27000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
AUIRFR2905ZTRL | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - AUIRFR2905ZTRL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 59 A, 0.0111 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 55V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 59A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 110W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0111ohm SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
на замовлення 2977 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
AUIRFR2905ZTRL | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 55V 59A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||
|
|
AUIRFR2905ZTRL | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 55V 59A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||
 |
AUIRFR2905ZTRL | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 55V 42A DPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.5mOhm @ 36A, 10V Power Dissipation (Max): 110W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK) Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1380 pF @ 25 V |
товар відсутній |
|||||||||||||||
 |
AUIRFR2905ZTRL | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFET AUTO 55V 1 N-CH HEXFET 14.5mOhms |
товар відсутній |