AUIRFP4110

AUIRFP4110 International Rectifier


Infineon-AUIRFP4110-DS-v01_02-EN.pdf?fileId=5546d462533600a4015355b1c0271452 Виробник: International Rectifier
Description: MOSFET N-CH 100V 120A TO247AC
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 370W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 210 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9620 pF @ 50 V
на замовлення 15348 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
70+304.27 грн
Мінімальне замовлення: 70
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис AUIRFP4110 International Rectifier

Description: INFINEON - AUIRFP4110 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 120 A, 0.0037 ohm, TO-247AC, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 120A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 370W, Bauform - Transistor: TO-247AC, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: HEXFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0037ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

Інші пропозиції AUIRFP4110 за ціною від 206.13 грн до 462.04 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
AUIRFP4110 AUIRFP4110 Виробник : Infineon Technologies auirfp4110.pdf?fileId=5546d462533600a4015355b1c0271452 Description: MOSFET N-CH 100V 120A TO247AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 370W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 210 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9620 pF @ 50 V
на замовлення 340 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+355.06 грн
25+ 273.41 грн
100+ 253.34 грн
AUIRFP4110 AUIRFP4110 Виробник : INFINEON INFN-S-A0003614957-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - AUIRFP4110 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 120 A, 0.0037 ohm, TO-247AC, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 370W
Bauform - Transistor: TO-247AC
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0037ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2604 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+462.04 грн
5+ 398.96 грн
10+ 335.88 грн
50+ 296.52 грн
100+ 259.52 грн
250+ 206.13 грн
Мінімальне замовлення: 2
AUIRFP4110 AUIRFP4110 Виробник : Infineon Technologies auirfp4110.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 180A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
товар відсутній
AUIRFP4110 AUIRFP4110 Виробник : Infineon Technologies Infineon_AUIRFP4110_DS_v01_02_EN-1730884.pdf MOSFETs Y
товар відсутній