![AUIRFB8409 AUIRFB8409](https://mm.digikey.com/Volume0/opasdata/d220001/medias/images/376/698-TO-220AB.jpg)
AUIRFB8409 Infineon Technologies
![auirfs8409.pdf?fileId=5546d462533600a4015355b73c5f14ec](/images/adobe-acrobat.png)
Description: MOSFET N-CH 40V 195A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 195A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 450 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14240 pF @ 25 V
на замовлення 1986 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 511.68 грн |
50+ | 393.42 грн |
100+ | 364.54 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис AUIRFB8409 Infineon Technologies
Description: INFINEON - AUIRFB8409 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 195 A, 0.001 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 40, Dauer-Drainstrom Id: 195, Qualifikation: AEC-Q101, Verlustleistung Pd: 375, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.9, Verlustleistung: 375, Bauform - Transistor: TO-220AB, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101, Anzahl der Pins: 3, Produktpalette: -, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.001, Rds(on)-Prüfspannung: 10, Betriebstemperatur, max.: 175, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.001, SVHC: No SVHC (08-Jul-2021).
Інші пропозиції AUIRFB8409 за ціною від 252.27 грн до 685.96 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
AUIRFB8409 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 655 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
AUIRFB8409 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 789 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
AUIRFB8409 | Виробник : INFINEON |
![]() Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40 Dauer-Drainstrom Id: 195 Qualifikation: AEC-Q101 Verlustleistung Pd: 375 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.9 Verlustleistung: 375 Bauform - Transistor: TO-220AB Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101 Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.001 Rds(on)-Prüfspannung: 10 Betriebstemperatur, max.: 175 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.001 SVHC: No SVHC (08-Jul-2021) |
на замовлення 2970 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
AUIRFB8409 Код товару: 61521 |
![]() |
товар відсутній
|
||||||||||||||||
![]() |
AUIRFB8409 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
товар відсутній |
|||||||||||||||
![]() |
AUIRFB8409 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
товар відсутній |
|||||||||||||||
![]() |
AUIRFB8409 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
товар відсутній |
|||||||||||||||
![]() |
AUIRFB8409 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 195A; 375W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40V Drain current: 195A Power dissipation: 375W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 1.2mΩ Mounting: THT Gate charge: 300nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
|||||||||||||||
![]() |
AUIRFB8409 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 195A; 375W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40V Drain current: 195A Power dissipation: 375W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 1.2mΩ Mounting: THT Gate charge: 300nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |