AUIRF7669L2TR Infineon Technologies
Виробник: Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 100V 19A Automotive AEC-Q101 15-Pin Direct-FET L8 T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 489.86 грн |
| 10+ | 458.89 грн |
| 25+ | 455.79 грн |
| 100+ | 408.26 грн |
| 250+ | 374.98 грн |
| 500+ | 354.46 грн |
| 1000+ | 348.95 грн |
| 3000+ | 343.36 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис AUIRF7669L2TR Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 100V 19A DIRECTFET, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: DirectFET™ Isometric L8, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Ta), 114A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4mOhm @ 68A, 10V, Power Dissipation (Max): 3.3W (Ta), 100W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA, Supplier Device Package: DirectFET™ Isometric L8, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5660 pF @ 25 V.
Інші пропозиції AUIRF7669L2TR за ціною від 342.18 грн до 667.66 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
AUIRF7669L2TR | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 19A Automotive AEC-Q101 15-Pin Direct-FET L8 T/R |
на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
AUIRF7669L2TR | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFET 100V AUTO GRADE 1 N-CH HEXFET |
на замовлення 2502 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
AUIRF7669L2TR | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 100V 19A DIRECTFET Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: DirectFET™ Isometric L8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Ta), 114A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4mOhm @ 68A, 10V Power Dissipation (Max): 3.3W (Ta), 100W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: DirectFET™ Isometric L8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5660 pF @ 25 V |
на замовлення 3970 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
AUIRF7669L2TR | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 19A Automotive 15-Pin Direct-FET L8 T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
|
|
AUIRF7669L2TR | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 19A Automotive AEC-Q101 15-Pin Direct-FET L8 T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
 |
AUIRF7669L2TR | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 114A; 100W; DirectFET Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 114A Power dissipation: 100W Case: DirectFET Mounting: SMD Kind of package: reel Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 4000 шт |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
|
|
AUIRF7669L2TR | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 100V 19A DIRECTFET Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DirectFET™ Isometric L8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Ta), 114A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4mOhm @ 68A, 10V Power Dissipation (Max): 3.3W (Ta), 100W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: DirectFET™ Isometric L8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5660 pF @ 25 V |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
|
|
AUIRF7669L2TR | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 114A; 100W; DirectFET Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 114A Power dissipation: 100W Case: DirectFET Mounting: SMD Kind of package: reel Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |