Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > AUIRF7103QTR
AUIRF7103QTR

AUIRF7103QTR Infineon Technologies

auirf7103q.pdf?fileId=5546d462533600a4015355acf87713cc Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET 2N-CH 50V 3A 8SOIC
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.4W
Drain to Source Voltage (Vdss): 50V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 255pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 3A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 55212 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
396+54.08 грн
Мінімальне замовлення: 396
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис AUIRF7103QTR Infineon Technologies

Description: INFINEON - AUIRF7103QTR - Dual-MOSFET, n-Kanal, 50 V, 3 A, 0.13 ohm, tariffCode: 85412900, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -, Verlustleistung, p-Kanal: -, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 50V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: TUK SGACK902S Keystone Coupler, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.13ohm, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 2.4W, Betriebstemperatur, max.: 175°C, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

Інші пропозиції AUIRF7103QTR за ціною від 52.16 грн до 102.08 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
AUIRF7103QTR AUIRF7103QTR Виробник : INFINEON 2332429.pdf Description: INFINEON - AUIRF7103QTR - Dual-MOSFET, n-Kanal, 50 V, 3 A, 0.13 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 50V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TUK SGACK902S Keystone Coupler
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.13ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2.4W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 16000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4000+59.66 грн
12000+ 58.48 грн
Мінімальне замовлення: 4000
AUIRF7103QTR AUIRF7103QTR Виробник : Infineon Technologies 3677253765787162auirf7103q.pdf Trans MOSFET N-CH Si 50V 3A Automotive AEC-Q101 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 3909 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
160+76.44 грн
166+ 73.99 грн
180+ 68.19 грн
200+ 63.88 грн
500+ 59.06 грн
1000+ 54.16 грн
Мінімальне замовлення: 160
AUIRF7103QTR AUIRF7103QTR Виробник : Infineon Technologies 3677253765787162auirf7103q.pdf Trans MOSFET N-CH Si 50V 3A Automotive AEC-Q101 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 1777 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
159+76.94 грн
167+ 73.5 грн
250+ 70.54 грн
500+ 65.57 грн
1000+ 58.74 грн
Мінімальне замовлення: 159
AUIRF7103QTR AUIRF7103QTR Виробник : Infineon Technologies 3677253765787162auirf7103q.pdf Trans MOSFET N-CH Si 50V 3A Automotive AEC-Q101 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 1424 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
7+92.04 грн
Мінімальне замовлення: 7
AUIRF7103QTR AUIRF7103QTR Виробник : Infineon Technologies 3677253765787162auirf7103q.pdf Trans MOSFET N-CH Si 50V 3A Automotive AEC-Q101 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 1424 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
124+99.12 грн
Мінімальне замовлення: 124
AUIRF7103QTR AUIRF7103QTR Виробник : INFINEON 2332429.pdf Description: INFINEON - AUIRF7103QTR - Dual-MOSFET, n-Kanal, 50 V, 3 A, 0.13 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -ohm
Verlustleistung, p-Kanal: -W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 50V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.13ohm
productTraceability: No
Verlustleistung, n-Kanal: 2.4W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 22148 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
8+102.08 грн
50+ 78.02 грн
250+ 65.68 грн
1000+ 58.93 грн
2000+ 52.16 грн
Мінімальне замовлення: 8
AUIRF7103QTR AUIRF7103QTR Виробник : Infineon Technologies 3677253765787162auirf7103q.pdf Trans MOSFET N-CH Si 50V 3A Automotive 8-Pin SOIC T/R
товар відсутній
AUIRF7103QTR AUIRF7103QTR Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES irf7103qpbf.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 50V; 3A; 2.4W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET x2
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 50V
Drain current: 3A
Power dissipation: 2.4W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.2Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 10nC
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 4000 шт
товар відсутній
AUIRF7103QTR AUIRF7103QTR Виробник : Infineon Technologies auirf7103q.pdf?fileId=5546d462533600a4015355acf87713cc Description: MOSFET 2N-CH 50V 3A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.4W
Drain to Source Voltage (Vdss): 50V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 255pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 3A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Grade: Automotive
Part Status: Obsolete
Qualification: AEC-Q101
товар відсутній
AUIRF7103QTR AUIRF7103QTR Виробник : Infineon Technologies auirf7103q.pdf?fileId=5546d462533600a4015355acf87713cc Description: MOSFET 2N-CH 50V 3A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.4W
Drain to Source Voltage (Vdss): 50V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 255pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 3A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Obsolete
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товар відсутній
AUIRF7103QTR AUIRF7103QTR Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES irf7103qpbf.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 50V; 3A; 2.4W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET x2
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 50V
Drain current: 3A
Power dissipation: 2.4W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.2Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 10nC
Kind of channel: enhanced
товар відсутній