AUIRF6215 Infineon Technologies
на замовлення 273 шт:
термін постачання 386-395 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 281.45 грн |
| 10+ | 238.49 грн |
| 25+ | 191.87 грн |
| 100+ | 168.59 грн |
| 250+ | 158.01 грн |
| 500+ | 147.43 грн |
| 1000+ | 131.91 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис AUIRF6215 Infineon Technologies
Description: INFINEON - AUIRF6215 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 150 V, 13 A, 0.29 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 150V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 13A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 110W, Bauform - Transistor: TO-220AB, Anzahl der Pins: 3Pins, Produktpalette: HEXFET Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.29ohm.
Інші пропозиції AUIRF6215 за ціною від 131.58 грн до 314.94 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
AUIRF6215 | Виробник : INFINEON |
 Description: INFINEON - AUIRF6215 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 150 V, 13 A, 0.29 ohm, TO-220AB, DurchsteckmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 150V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 13A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 110W Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3Pins Produktpalette: HEXFET Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.29ohm |
на замовлення 1647 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
AUIRF6215 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET P-CH 150V 13A TO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 290mOhm @ 6.6A, 10V Power Dissipation (Max): 110W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 860 pF @ 25 V |
товар відсутній |