AUIRF4905S Infineon Technologies
Виробник: Infineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH Si 55V 70A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK Tube
на замовлення 220 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 29+ | 426.91 грн |
| 34+ | 361.62 грн |
| 50+ | 275.23 грн |
| 100+ | 264.43 грн |
| 200+ | 230.5 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис AUIRF4905S Infineon Technologies
Description: MOSFET P-CH 55V 42A D2PAK, Packaging: Tube, Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 42A, 10V, Power Dissipation (Max): 200W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: D2PAK, Part Status: Obsolete, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3500 pF @ 25 V, Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10, Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25.
Інші пропозиції AUIRF4905S за ціною від 190.75 грн до 511.68 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
AUIRF4905S | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - AUIRF4905S - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 55 V, 70 A, 0.02 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 55V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 70A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 170W Bauform - Transistor: TO-263AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm SVHC: No SVHC (08-Jul-2021) |
на замовлення 3493 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
AUIRF4905S | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET P-CH 55V 42A D2PAK Packaging: Tube Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 42A, 10V Power Dissipation (Max): 200W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: D2PAK Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3500 pF @ 25 V Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25 |
на замовлення 3509 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
| AUIRF4905S | Виробник : International Rectifier |
MOSFET P-CH 55V 70A Automotive AUIRF4905S International Rectifier TAUIRF4905s кількість в упаковці: 5 шт |
на замовлення 40 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||
|
AUIRF4905S Код товару: 175739 |
Транзистори > Польові P-канальні |
товар відсутній
|
|||||||||||||||
 |
AUIRF4905S | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH Si 55V 70A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK Tube |
товар відсутній |
|||||||||||||
 |
AUIRF4905S | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -55V; -44A; 170W; D2PAK Type of transistor: P-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -55V Drain current: -44A Power dissipation: 170W Case: D2PAK Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 20mΩ Mounting: SMD Gate charge: 0.12µC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
|||||||||||||
|
|
AUIRF4905S | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -55V; -44A; 170W; D2PAK Type of transistor: P-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -55V Drain current: -44A Power dissipation: 170W Case: D2PAK Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 20mΩ Mounting: SMD Gate charge: 0.12µC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |