![AUIRF3805L-7P AUIRF3805L-7P](https://ce8dc832c.cloudimg.io/v7/_cdn_/20/B7/80/00/0/555778_1.jpg?width=640&height=480&wat=1&wat_url=_tme-wrk_%2Ftme_new.png&wat_scale=100p&ci_sign=f8eb8f2dab724045ee1bbaafe168dece8d1a43d4)
AUIRF3805L-7P INFINEON TECHNOLOGIES
![auirf3805s-7p.pdf](/images/adobe-acrobat.png)
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 240A; 300W; TO263CA-7
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 240A
Power dissipation: 300W
Case: TO263CA-7
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.6mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 130nC
Kind of channel: enhanced
на замовлення 108 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3+ | 135.2 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис AUIRF3805L-7P INFINEON TECHNOLOGIES
Description: MOSFET N-CH 55V 160A TO262, Packaging: Tube, Package / Case: TO-262-7, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 160A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 140A, 10V, Power Dissipation (Max): 300W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-262, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 200 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7820 pF @ 25 V.
Інші пропозиції AUIRF3805L-7P за ціною від 168.48 грн до 190.08 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
AUIRF3805L-7P | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 240A; 300W; TO263CA-7 Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 55V Drain current: 240A Power dissipation: 300W Case: TO263CA-7 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 2.6mΩ Mounting: THT Gate charge: 130nC Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 108 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||
![]() |
AUIRF3805L-7P | Виробник : Infineon / IR |
![]() |
на замовлення 193 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|||||||
![]() |
AUIRF3805L-7P | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
товар відсутній |
|||||||
![]() |
AUIRF3805L-7P | Виробник : Infineon Technologies |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-262-7 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 160A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 140A, 10V Power Dissipation (Max): 300W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-262 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 200 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7820 pF @ 25 V |
товар відсутній |